Fluorescence Microscopy of Nanoscale Silver Oxide Thin Films

The experimental conditions for photoactivated intermittent fluorescence from nanoscale silver oxide were studied with fluorescence microscopy.Strong fluorescence was observed from the Ag2O particles with size of 10-20nm excited with both blue and green light .We observed the saturation of Photoexcitation with blue light and explained the experimental results using the model of agglomeration of silver atoms to form small clusters and the fluorescence of Ag2 and Ag3 clusters.     

像增强器用中波红外辐射可激励的新型荧光材料

1 引言目前,许多研究都集中于研制各种用途的中波红外成像系统。这些应用从工业用热成像一直扩展到探测车辆、导弹等的军用热成像。可反映中波红外成像目前技术水平的是加工碲镉汞、锑化铟等半导体探测器的线阵或面阵,并把它们组装到一适当光学成像系统。但是,材料和器件的产额低,这种器件不仅制作难而且成本高。本文介绍一种加工成本低用于中波红外成像的新型探测介质,具体地讲,这种新介质是一种可将中波红外     

POROSITY CALCULATION OFMIXTURES OF FIBROUS PARTICLES

The initial forming of fiber blend to high green density, i.e. the packing of fibrous particles, is important to the reinforcement of composite materials. It is very useful to develop a general predictive method for the optimum selection of particle mixtures for the property control of ceramic or composite products. This paper presents such a mathematical model developed on the basis of the similarity analysis between the spherical and non-spherical particle packings and assesses its applicability to the packing of fibrous particles with discrete and/or continuous length distributions. The results indicate that the model can predict this packing system well and hence provide an effective way to solve various packing problems in the composite materials processing.     

Cr^4＋：YAG可饱和吸收特性测量

测量了Cr4+:YAG材料的可饱和吸收特性,用多种数据分析方法处理了实验结果,Cr4+:YAG的基态吸收截面σgs=11×10-19cm2,激发态吸收截面σes=1.2×10-19cm2。     

GaN材料系列的研究进展

ＧａＮ及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，在光电子器件，高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景，已成为当前高科技领域的研究重点，论述了这种材料的研究历史与发展现状，物理与化学性质，薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。     

GaAlInP发光材料计算的经验公式

根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。     

全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。     

蓝色发光二极管的最新进展

从材料，器件结构，特性及其应用等方面介绍了蓝色发光二极管的发展过程，并展望了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色二极管的应用前景。同时指出了目前急待解决的问题及 发展方向。