用湿法刻蚀技术制作衍射光学元件

研究了氢氟酸(HF)湿法刻蚀石英玻璃的化学机理，探索了针对衍射光学元件制作的刻蚀工艺，得到相关实验规律和工艺参数。最后对实验误差进行定量分析，得到湿法刻蚀的可控精度。     

Bi（2223）厚膜微结构分析

测量了预结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌，实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是；在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差，提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。     

Talbot效应研究新进展

综述了对Ｔａｌｂｏｔ效应研究的进展，着重介绍了对它的新解释。     

二元衍射光学

文章综述了二元光学与衍射光学的发展历史，研究现状以及广泛的应用价值和前景。它研究的物理内容分为两个方面，即用光学的标量衍射理论去研究和设计二元衍射器件与光学电磁矢量衍射的基础研究，在众多采用标量衍射和设计方法中，重点叙述了Ｇｅｒｃｈｂｅｒｇ－Ｓａｘｏｎ算法和模拟退火算法，同时，简洁地介绍了掩膜制备－－光刻－－离子蚀刻－－复制一套研制二元衍射器件的技术流程，最后，以较多篇幅介绍二元衍射光学在激光波面     

斜向静磁场中光导波模式转换与衍射理论

应用经典场论和耦合模理论计算了斜向静磁场作用下，磁性薄膜波导中静磁波与导波光的相互作用.计算结果表明，与垂直静磁场情形相比，斜向静磁场时的相匹配条件有所变化，由于磁性薄膜波导中法拉第磁光效应增强等因素，导波光的Bragg衍射效率得以显著增加.这有利于应用YIG等低损耗磁性薄膜做成高衍射效率的磁光波导器件，亦有利于降低Bi∶YIG等高比法拉第旋转的磁光薄膜波导器件的体积和损耗.此外，理论指出的在斜向静磁场条件下所具有的一些磁光特性与实验结果亦符合得很好. 关键词：     

运用严格耦合波理论计算平面电介质光栅的衍射效率

本文阐述了严格耦合波理论的基本思想。针对横电波的情况，详细分析了运用严格耦合波理论实现光栅衍射效率计算的方法，并且进一步给出了编制计算衍射效率程序的步骤。通过一个具体计算实例表明：各衍射级分布的光能量之和等于入射光的能量，满足能量守恒定律，从而证实了计算结果的正确性。     

微结构量子器件

微结构量子器件是八十年代中期伴随着微结构物理的发展而出现的一种新的半导体器件,这种器件以量子力学原理工作,具有常规“经典”器件无法比拟的优异特性。本文在简要介绍了微结构系统电子状态的基础上,较详细地描述了量子谐振隧道器件以及量子线和量子点激光器的基本原理、特点及其应用前景。     

用X射线双晶衍射测量碲镉汞晶片表面的加工损伤

用X射线双晶衍射法测量了x=0.273、晶向为[110]的碲镉汞晶体在切、磨过程中引入的加工损伤,测出了在切割、M5金刚砂研磨过程中产生的损伤层厚度分别为4μm～7#m、12μm～20μm,并测出在碲锅汞晶体中存在大量取向差为90"～810"之间的亚晶块.     

2-[（4'-N，N-二甲胺基）苯乙烯基]-5-二米基硼-噻吩的合成-结构与光物理性质

合成了以含硼（III）基团为电子受体，以二甲胺基为电子给体，以苯乙烯基 噻吩为共轭桥的新化合物2-[（4'-N，N-二甲胺基）苯乙烯基]-5-二米基硼-噻吩 trans-2-[(4'-N, N-dimethylamino) styryl]-5-dimesitylboryl-thiophene（简 写为DMASBT，5）。X射线衍射方法测定其单晶结构表明，硼原子与π共轭桥之间的 硼碳键相对于其它的硼碳键明显缩短，硼与π共轭桥之间存在除了σ键之外的p-π 共轭作用。研究了它在不同溶剂中的光物理性质，发现它具有突出的溶致变色效应 。在极性较大的溶剂中，有较高的荧光量子产率和较长的荧光寿命。激光实验发现 ，DMASBT在近红外波段（750～850 nm）有较强的非线性吸收，用波长为800 nm的 红色飞秒激光激发时，DMASBT在四氢呋喃中发现波长为559 nm的强的绿色上转换荧 光。