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771.
聂尧  裴忠国 《通信世界》2005,(15):42-44
农村市场是吉林移动的重要市场,是收入的重要增长点。有效解决农村用户开户难、缴费难、信息查询难的问题是做好农村市场的客户服务工作的重要方面。在广大农村市场高密度地设立专有营业厅和合作营业厅,固然可以解决上述问题,但由于建设、网络、人员费用投入较大,日接待用户较少,经济上显然不可取。为了妥善解决农村市场客户服务质量和单位面积用户较少之间的矛盾,以GPRS网络为载体,配置随E行网卡的笔记本电脑为业务受理前台的可流动车载营业厅是唯一选择,但是由于广大农村地区基站较少,配置的GPRS信道也只有一个,简单的GPRS接入,每秒…  相似文献   
772.
硅基1.55μm共振腔增强型探测器   总被引:1,自引:1,他引:0  
报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的反射率可以高达99.9%以上,制作工艺简单,价格便宜.并获得硅基峰值响应波长为1.54μm,量子效率达22.6%的窄带响应,峰值半高宽为27nm.本方法有望用于工业生产.  相似文献   
773.
模糊控制技术中一种特殊的高维插值法   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍一种在模糊控制技术中高维插值方法的应用。这种方法可以由有限数据或经验规则,通过高维插获完整的全值表,从而克服了过去去多因素,多目标,非线性的复杂被控系统由于经验规则远远不足,无法得到完整的控制规则表听困难。为进一步设计模糊模糊控制器提供了可行的基础。  相似文献   
774.
A novel high reflectivity type of semiconductor saturable absorption mirror grown by metal organic chemical vapor deposition is presented. Using the mirror as well as an end mirror,passively mode locked Yb∶YAB laser is realized,which produces a pulse as short as 305ps at 1.044μm.The pulse frequency is 375MHz;the output power is 45mW.  相似文献   
775.
屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理   总被引:9,自引:9,他引:0  
提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3Es升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.  相似文献   
776.
传统LCD背光采用冷阴极荧光灯(CCFL)作为光源,但由于各国对电子产品环保方面的要求日益提高,LCD面板厂商开始转向LED背光光源。面对LED取代CCFL背光源的趋势,Microsemi公司推出了DAZL!系列第二代混合信号高电压LED驱动器,用于LCD和其它大屏幕显示器。  相似文献   
777.
《数字生活》2008,(9):67-67
三星T220G显示器是目前三星顶级的22英寸显示器,它延续了三星在高端所灌入的"绝色"风情,用时尚靓丽为我们充分演绎三星力求"至大、至清、至真、至美"的产品境界,通过在技术领域的创新和工艺设计的突破完整诠释出全新美感。T220G的基本造型与T220保持一致,都是有着三星之前的"黑钻"作品之痕迹:全钢琴烤漆外壳,圆滑边角与优美弧线底边相得益彰,灵感源自高脚杯的底座设计,整体散发着成熟优雅的高贵气质。不过它那钢琴烤漆处理的边框可并不简单,作为三星08年的主打产  相似文献   
778.
779.
使用真空电弧熔炼技术制备了Al0.2Co1.5CrNi1.5Ti0.5Mox(x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4)高熵合金,研究了Mo含量对该高熵合金组织结构、力学性能和摩擦学性能的影响规律及其作用机制. Al0.2Co1.5CrNi1.5Ti0.5高熵合金由FCC相和有序AlNi3相组成,Mo元素添加后促进形成σ相.较大原子半径的Mo元素引发的晶格畸变效应和σ硬质相析出引起的第二相强化效应赋予高熵合金优良的力学和摩擦学性能.随着Mo含量的提高,合金的硬度增加了40.4%,屈服强度增加了32.1%.对该合金的摩擦磨损性能进行研究,发现Mo元素的添加显著改善了高熵合金的摩擦学性能,尤其是当Mo的摩尔比为0.4时,高熵合金室温磨损率为2.62×10-6 mm3/(N·m),800℃时的磨损率为6.23×10  相似文献   
780.
通过对某型高反压管BVcbo击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究,找出了产生此现象的直接原因,进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试BVcbo单结特性时应注意的问题。  相似文献   
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