8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm（20W）,线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.     

X波段GaN HEMT内匹配器件

自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从1E-4A量级减小到了1E-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性. 采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%. 2.5mm×4 GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.     

用于纳米操作的硅基集成式微型 xy 定位平台

针对纳米级定位平台小型化和高定位精度的要求,基于体硅工艺研制出一种集结构、驱动和位移检测一体化的集成式微型纳米级xy定位平台. 采用体硅双面深度反应离子刻蚀（DRIE）技术释放出高深宽比的静电梳齿驱动器、检测梁及定位平台结构. 由于定位平台属于面内运动,为了提高面内运动位移检测的灵敏度提出了一种利用离子注入工艺和DRIE技术相结合制作检测梁侧壁压阻的方法,并利用该侧壁压阻工艺成功地把基于侧壁压阻式的位移传感器集成到微型xy定位平台上. 实验测试表明,位移传感器的灵敏度优于1.17mV/μm,线形度优于0.814%,当驱动电压取30V时,定位平台的单轴输出位移可达±10μm,并且定位平台x方向和y方向上的位移耦合量非常小;在空气条件下测得定位平台的一阶固有频率为983Hz.     

腔内倍频Nd3+:GdVO4/LBO深蓝456 nm激光器的工作特性

在激光二极管(LD)抽运腔内倍频Nd3 :GdVO4/LBO深蓝456 nm激光器中.为对比激光品体掺杂浓度对倍频输出功率的影响.利用同样尺寸为3 mm×3 mm×2 mm,稀土离子掺杂原子数分数分别为0.15和0.25的Nd3 :GdVO4品体作为对比.实验中利用同样长为20 mm的线性直腔,在使用10 mm长、按基频光为914 nm方向切割的Ⅰ类相位匹配倍频晶体LBO,在抽运功率为2.85 w时,前者获得了输出率为105 mW的深蓝456 nm激光,明显高于后者.通过对准三能级激光晶体的最佳长度分析表明,掺杂原子数分数为0.15的Nd3 :GdVO4晶体与0.25的相比,其实际长度更加接近于最佳长度.通过对倍频晶体LBO的最佳切割角和温度控制等分析表明,利用针对914 nm基频光切割的LBO晶体在912 nm激光器中.其切割角的差别可以通过温控的改变得到补偿.     

飞思卡尔 DSP加快LTE配置的新性能级别及下一代无线标准

飞思卡尔推出MSC8156处理器是基于SC3850 StarCore DSP新内核技术的6核器件,是基于45nm处理技术的首款DSP产品之一。它提供主流及最新网络配置所要求的灵活性、集成性及经济支付能力,这些网络都基于LTE及其他下一代无线标准。     

氦氖激光血管外照射治疗脑缺血

目的:观察氦氖激光血管外照射治疗脑缺血的效果,讨论其可能机制.方法:对12例脑缺血进行氦氖激光血管外照射治疗,并与非血管激光照射治疗的16例进行对比.结果:血管外激光照射治疗组效果明显好于对照组.结论:氦氖激光血管外照射治疗能够提高临床脑缺血的疗效,提倡它作为脑缺血的治疗方法之一.     

S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.     

基于对角滤波的H.264帧内模式选择快速算法

提出一种利用对角滤波的H.264帧内模式选择快速算法,设定空域相关性较强的3个滤波门限,自适应地选出最优预测模式.针对全Ⅰ帧编码,实验表明:非剧烈运动序列与全搜索相比,该算法在平均PSNR损失不超过0.2 dB,增加的码率不超过3%的前提下,使编码复杂度减少26%左右.     

一种内埋式电容器用钛酸钡/环氧复合材料的研制

基于钛酸钡和丁腈橡胶的高介电常数特性,研制了一种可用于内埋式电容器的钛酸钡/环氧复合材料.以丁腈橡胶作为添加剂,用共混法制备钛酸钡/环氧复合材料,探讨了钛酸钡和丁腈橡胶含量对复合材料介电常数、介电损耗因子、体积电阻率及击穿电压等介电性能的影响.实验结果表明,丁腈橡胶可以提高钛酸钡/环氧复合材料的介电常数.在钛酸钡体积分数为40%时,通过添加15%的丁腈橡胶,复合材料的介电常数可从25提高到41,体积电阻率达1011Ω·m,击穿电压达8 kV/mm,而介电损耗因子仍小于0.02.为工业化低成本生产内埋式电容器材料提供了一种新的方法.     

数字调制信号接收技术

为了实现对多种数字信号的解调,设计了一种全数字接收机体制。对通用环载波同步方法及内插滤波码元同步方法进行了深入分析和设计。仿真结果表明,在误比特率为10-4时,所需Eb/N0比理论值高2 dB。基于通用环和内插定时技术的全数字接收机适用于对PSK,QAM数字调制信号的接收解调,满足数字VSLI硬件实现高集成度、小型化接收机的要求。