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81.
设计了一种相位板,用来拓展初始光学结构的景深。对于波前编码光学成像系统的设计提出了几个需要考虑的事项及设计需求,并根据这些事项结合选定的基本参数,利用Zemax设计了一个光学系统的初始结构并优化。该初始结构是一个物距为4 m、F数为3、有效焦距为50 mm的像质良好的成像物镜。添加选择的三次相位板,其面型为扩展多项式。通过设置复杂的评价函数,将相位板的三次项系数作为变量,然后将相位板优化,得到其参数。最后通过传统光学系统和添加相位板的光学系统的各种数值对比,分析得出该设计的景深能够实现从4 m拓展到2.5 m至8 m。 相似文献
82.
83.
84.
本文介绍了一种双色光柱等离子体显示板,阐述了彩色光柱板的基本工作结构和工作原理,对研制过程中解决的关键工艺技术问题进行了总结。 相似文献
85.
86.
网络安全性问题的日益突出迫切要求对现有普通宽带路由器进行支持IPSec的改造。以往的基于加密卡串接网络处理单元的改造方法导致资源利用率低、工程实现难度大及普适性差。文章提出了一种新的改造方案,能够利用宽带路由器的快通道实现加密数据包的高速传输,利用慢通道维护IPSec协议的运行及相关安全信息的下发,以一种母板结构普适地实现了对宽带路由器的高效IPSec改造。 相似文献
87.
针对复合板结构中弯曲板波谐振频率计算相对复杂的问题,建立并分析了基于弯曲板波延迟线振荡器的理论模型,计算得到A0(0阶反对称)模式板波的谐振频率为41 MHz;为了验证理论分析的结果,利用有限元软件ANSYS建立了基于弯曲板波的延迟线振荡器的3D有限元模型,并对其进行了谐响应分析以及瞬态动力学分析。谐响应分析得到A0模式的谐振频率为37.2 MHz,与理论计算结果的相对误差为9.3%;瞬态动力学分析得到A0模式的谐振频率为39.1 MHz,与理论计算结果的相对误差为4.6%。计算和仿真为基于弯曲板波的延迟线振荡器的结构设计提供了重要的依据。 相似文献
88.
在蜂窝技术领域,各项服务的汇集持续地以更快的速度进行着。消费者服务供应商们和产品制造商们都在推出许许多多的新产品,横跨个人电脑与手机这两个市场。随着人们对以更低的成本获得更多功能的需求,射频测试领域正在不断进化、不断变革.进入一个新的境界。 相似文献
89.
本文对多速率分层结构CDMA系统的联合控制算法进行了研究,提出了一种新的功率、速率和接入联合控制算法。在此基础上,考虑到基站发射功率资源受限以及信道的路径损耗、多径衰落和阴影衰落的影响,得到了系统容量与系统各业务负载的数量以及速率间的关系。另外,该联合控制算法使系统能够自适应地调节VBR业务的速率以及获得最大总有效数据速率;同时通过预测新用户接入系统所需的功率资源,来判断系统是否接受接入请求。最后,利用MonteCarlo方法对该系统算法进行了仿真,给出了相应的仿真结果和分析。 相似文献
90.
Washboard belt-like zinc selenide (ZnSe) nanostructures are successfully prepared by a simple chemical vapor deposi- tion (CVD) technology without catalyst. The phase compositions, morphologies and optical properties of the nanos- tructures are investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), high-resolution transmis- sion electron microscopy (HRTEM) and photoluminescence (PL) spectroscop, respectively. A vapor-liquid mecha- nism is proposed for the formation of ZnSe belt-like structures. Strong PL from the ZnSe nanostructure can be tuned from 462 nm to 440 nm with temperature varying from 1000 ℃ to 1200 ℃, and it is demonstrated that the washboard belt-like ZnSe nanostructures have potential applications in optical and sensory nanotechnology. This method is ex- pected to be applied to the synthesis of other II-VI groups or other group's semiconducting materials. 相似文献