磁性薄膜原子层数对极化方向的影响

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微量Mg掺杂ZnO薄膜的光致发光光谱和带隙变化机理研究

利用射频磁控溅射(RF-MS)法在450℃玻璃基底上制备了Mg掺杂量分别为0.81at%,2.43at%和4.05at%的ZnO薄膜,对其微观结构、室温光致发光光谱(PL)、光学和电学性质进行了研究.结果发现,微量Mg掺杂ZnO薄膜晶体具有六方纤锌矿结构并保持高结晶质量;掺杂0.81at%和2.43at%Mg的ZnO薄膜室温PL谱中近带边发射(NBE)峰的短波方向出现了高能发射带与NBE峰同时存在;随着Mg掺杂量增加至4.05at%,这个高能发射带逐步将NBE峰掩盖.推测在Mg掺杂ZnO薄膜中,Mg2+替代Zn2+附近核外电子的能量增大并产生了一个高能级.而未被Mg2+替代的Zn2+周围的核外电子能量状态不变,带间能级依然存在,随着Mg掺杂量的增加处于高能级的电子数目逐步增加并占绝对优势.因此,ZnO薄膜随着Mg掺杂量增加薄膜禁带宽度增大,这是由于Mg掺杂后周围电子能量增大与Burstein-Moss效应共同作用的结果.另外,薄膜在可见光区域的平均透射率均大于85%,随着Mg掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增大并在3.36—3.52eV内变化;Mg掺杂量为0.81at%,2.43at%和4.05at%时,薄膜电阻率分别为2.2×10-3,3.4×10-3和8.1×10-3Ω.cm.     

Effect of Zn Interstitials on Enhancing Ultraviolet Emission of ZnO Films Deposited by MOCVD

ZnO films are grown on Si （111） substrates by a metal organic chemical vapor deposition method. Samples with different stoichiometric composition of Zn and 0 are obtained by varying Ⅱ/Ⅵ molar ratio between 3 and 1/3 in precursors. The x-ray photoelectron spectroscopy and photoluminescenee results show that the ultraviolet emission enhances with the increasing Zn/O composition ratio of the samples. It is suggested that the supertfluous Zn atoms pile up at interstitial positions to form Zn interstitial defects. The radiated recombination of the coupling of free exeitons with donor Zn interstitial enhances the ultraviolet emission of the samples.     

聚苯胺/二氧化钛复合薄膜的制备及其气敏性能

室温条件下, 运用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜和聚苯胺(PANI)薄膜, 并通过XPS和SEM对薄膜进行了分析表征. 采用平面叉指电极式器件制备了PANI/TiO2复合薄膜和PANI薄膜气体传感器, 研究了其在常温下对有毒气体NH3和CO 的敏感性能. 结果表明, PANI/TiO2复合薄膜较PANI薄膜具有更优的灵敏度和响应恢复特性.     

水溶液中电化学沉积GaSb相变存储薄膜

利用恒电位共沉积技术和热处理的方法成功制备了GaSb薄膜,探索了添加乙二醇溶剂对薄膜结晶性和形貌的影响. 采用循环伏安法初步研究了共沉积GaSb的机理,并用X-射线衍射技术（XRD）、扫描电子显微技术（SEM）和能谱分析（EDS）表征、观察样品. 研究表明,在沉积过程中,SbO⁺先还原成Sb单质,再诱导Ga³⁺发生共沉积;沉积电位对薄膜的结晶性、微观形貌和成分有显著影响;电解液加入乙二醇更利于在较正电位下直接沉积出GaSb,且有效地提高了薄膜的结晶度,改善了薄膜的微观形貌.     

一种光交联电光聚合物的合成及其外部电光测量

合成了一种新的带有光交联基团的电光聚合物,其高分子基体是双酚A环氧树脂,二阶非线性生色团对硝基苯胺和光交联基团肉桂酰氯都键接在高分子链上.将聚合物溶解后旋涂成膜,对薄膜进行电晕极化.极化的后阶段用紫外光照射,使聚合物体系交联成网络结构,形成生色团取向长时间稳定的聚合物电光薄膜.用这种聚合物电光薄膜构成外部电光调制系统,测量了共面波导上的电信号.     

AuPt合金泡沫膜的制备及其电催化性能研究

采用阴极共沉积氢气泡动态模板法成功地制备了AuPt合金薄膜,这种三维分级多孔结构是由连通的枝晶壁构成。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)分别对泡沫膜的形貌、物相、表面组成进行了表征。结果表明:由于多孔结构、电子效应和集合效应的影响,AuPt合金对甲酸的电催化氧化表现出高催化活性。     

ITO薄膜可见光区增透性能研究

采用MPS单极性脉冲磁控溅射法,在PMMA衬底上制备SiO2增透薄膜,通过改变溅射时间达到最优的增透效果.在此基础上,制备了不同溅射时间的ITO薄膜,系统研究了增透前后的可见光透过率、方块电阻和红外发射率的变化.实验结果表明,增透后薄膜可见光平均透光率提高大约6;,对于溅射时间小于60 min的ITO薄膜增透之后的平均透光率达到80;以上,同时薄膜的方块电阻以及红外发射率变化较小.     

利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜

采用化学束外延（ＣＢＥ）技术，以三乙基镓（ＴＥＧ）和砷烷（ＡｓＨ３）为源，在Ｓｉ（００１）衬底上生长ＧａＡｓ薄膜．利用Ｈａｌｌ效应、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）检测了外延层的质量．结果表明，ＧａＡｓ薄膜具有ｎ型导电性，载流子浓度为１．３×１０１５ｃｍ－３，其杂质估计是Ｓｉ，它来自衬底的自扩散．外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善．在ＧａＡｓ／Ｓｉ界面及其附近，存在高密度的结构缺陷，包括失配位错、堆垛层错和孪晶．这些缺陷完全缓解了ＧａＡｓ外延层和Ｓｉ衬底之间因晶格失配引     

利用掠入射X射线技术表征高分子薄膜

掠入射X射线技术是一种表征高分子薄膜的结晶性、厚度、界面粗糙度等物理量的新方法,本文简单介绍了这种技术中X射线反射率法和掠入射X射线衍射法的基本原理、测试和分析方法以及这些方法在高分子薄膜研究中的应用。