MMDS与HFC的比较分析

分别介绍了MMDS与HFC系统，通过对MMDS与HFC的比较分析，确立HFC在CATV系统中的主体地位，同时也肯定了MMDS系统在某些地区的不可替代作用和独特的五大优点。     

2010年中国半导体规模将达121亿美元

据外电报道，尽管中国政府一直在扶植国内的集成电路设计和制造商，但对于中国每年400多亿美元的半导体需求市场，80％的需求还是由英特尔和AMD等国际厂商所提供。     

深亚微米标准单元库的设计与开发

随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯国际0．18μm工艺，成功设计开发了0．18μm标准单元库。本文简要介绍了0．18μm标准单元库的设计与开发。     

高速总线技术最大化自动化集成电路测试产能

半导体在汽车方面应用的迅速增长提高了对自动化器件测试能力先进性的要求。目前一辆汽车所使用的电子器件的价值约占其总价值的25％。据德国汽车工业协会预期，到2010年底这个数字将增加到40％。分析家预期，到那时一部全新轿车所使用的电子原件将占其总价的三分之一。汽车集成电路     

Aqilent混合信号测试解决方案——ADC的测试

1前言 模拟/数字信号转换器(ADC)和数字/模拟转换器(DAC)是两种基本的电子应用模块,用于实现模拟和数字信号之间的转换.作为独立器件或者集成到各种混合信号芯片中,广泛的应用于各种电子产品.因此,在对这些混合信号芯片进行测试的时候就要对其中集成的ADC/DAC的性能设计相应的测试方案.     

VLSI全定制版图分级LVS验证的研究

在VLSI芯片的全定制版图设计中，LVS验证日益复杂繁琐，本文系统介绍了用HERCULES实现LVS验证的原理、流程和配置文件，并讨论了如何用HERCULES高效率的实现分级LVS(Hierarchical LVS，简称HLVS)验证，这些技术和方法已经应用在成功流片的64位通用CPU全定制版图的设计中，提高了版图LVS验证的效率。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。