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91.
A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot. 相似文献
92.
Nanoporous Structure in Low-Dielectric Films with Positronium Annihilation Lifetime Spectroscopy
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We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived. 相似文献
93.
Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si (100) Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn
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Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission. 相似文献
94.
采用偏轴直流磁控溅射原位生长YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,以H3PO4为腐蚀液,采用化学湿刻工艺制作YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜微桥,微桥长10μm,宽5μm,在8mm微波源的辐照下,除观察到整数常压台阶外,还观察到n=1/2,1/5,6/5,9/5等分数常压台阶,分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。 相似文献
95.
本文用磁控射方法制备了几种Mo/SiO2多层膜。在北京同步辐射装置(BSRF)的衍射站上测量了其氏角X射线衍射(XRD)谱,并利用基于光学动力学理论的递推公式对低角X射线衍射谱进行了拟合,定量分析了膜层的周期结构和界面度以及界面度与层数、层厚的关系。同时用高分辩电子显微镜(HREM)对一样品的截面进行了观察。 相似文献
96.
通过紫外-可见吸收光谱、压力-面积等温线、二次谐波的测量,研究了不同活性分子混合聚集体的形成对LB膜光学性质的影响。分子极性基团间的相互作用,使激发态能量及平均偶极矩发生变化,导致LB膜的光学非线性明显地增强或减弱。 相似文献
97.
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99.
100.