全文获取类型
收费全文 | 14227篇 |
免费 | 4601篇 |
国内免费 | 2883篇 |
专业分类
化学 | 1654篇 |
晶体学 | 837篇 |
力学 | 667篇 |
综合类 | 140篇 |
数学 | 106篇 |
物理学 | 8537篇 |
无线电 | 9770篇 |
出版年
2024年 | 90篇 |
2023年 | 283篇 |
2022年 | 361篇 |
2021年 | 423篇 |
2020年 | 245篇 |
2019年 | 355篇 |
2018年 | 246篇 |
2017年 | 340篇 |
2016年 | 405篇 |
2015年 | 515篇 |
2014年 | 1001篇 |
2013年 | 777篇 |
2012年 | 879篇 |
2011年 | 878篇 |
2010年 | 938篇 |
2009年 | 1023篇 |
2008年 | 1204篇 |
2007年 | 1113篇 |
2006年 | 1130篇 |
2005年 | 1160篇 |
2004年 | 959篇 |
2003年 | 881篇 |
2002年 | 740篇 |
2001年 | 694篇 |
2000年 | 616篇 |
1999年 | 483篇 |
1998年 | 502篇 |
1997年 | 516篇 |
1996年 | 492篇 |
1995年 | 520篇 |
1994年 | 407篇 |
1993年 | 322篇 |
1992年 | 310篇 |
1991年 | 290篇 |
1990年 | 274篇 |
1989年 | 233篇 |
1988年 | 37篇 |
1987年 | 29篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 11篇 |
1980年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 515 毫秒
131.
Synthesis of Thick Diamond Films by Direct Current Hot—Cathode Plasma Chemical Vapour Deposition 总被引:1,自引:0,他引:1
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
《中国物理快报》2002,19(9):1374-1376
132.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
133.
134.
Influences of Thalliation on the Morphology and Critical Temperature of Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Films
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212) thin films were prepared by the two-step technique.A precursor film was first prepared by the pulsed laser deposition method,and then experienced the incorporation of thalliation in a one-step or two-step annealing process.The experimental results show that the two-step annealing process produces dense and smooth films,and that the one-step annealing process produces a high critical temperature film of 101K,but the transition width is wide.Precursor films with homogeneous Ba2Ca1.3Cu2.1Ox composition are essential for producing high-quality Tl-2212 films. 相似文献
135.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
136.
The hydrogenation properties of Zr samples with and without an Ni overlayer under various plasma conditions were investigated by means of non-Rutherford backscattering and elastic recoil detection analysis.The theoretical maximum hydrogen capacity,66.7 at%,could be achieved at a hydrogen absolute pressure of-2Pa and a substrate temperature of-393K for a plasma irradiation of only 10min;this was significantly greater than that for gas hydrogenation under the same hydrogen pressure and substrate temperature.It was also found that the C and O contamination on the sample surface strongly influences the hydrogenation,and that the maximum equilibrium hydrogen content drops dramatically with the increasing total contamination.In addition,the influence of the Ni overlayer on the plasma hydrogenation is discussed. 相似文献
137.
在一般Λ型三能级模型的基础上提出准Λ型四能级系统,并对准Λ型四能级模型的共振荧光谱作了详尽的研究.从上能级向两边下能级辐射的自发辐射谱中产生了三个超窄谱线,且在很大参数范围内光谱具有这一特性.三个超窄谱线的产生是和两个相干驱动场的Rabi频率密切相关,在较大的Rabi频率作用下谱线会变得更窄,而当只有一个驱动场作用时是不会产生谱线变窄效应的.能级间的碰撞弛豫和非相干激发严重地破坏了谱线变窄.这种超窄谱线效应是多通道量子干涉的结果
关键词:
准Λ型四能级系统
超窄谱线
多通道量子干涉 相似文献
138.
用过氧聚钨酸(PPTA)水溶液,通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜,利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料,具有很高的利用价值。 相似文献
139.
对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收,X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示,薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降,说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁,能带中有杂质能级的存在;样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构;扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。 相似文献
140.