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121.
中间层Re的加入对覆膜钡钨阴极性能的改善   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李玉涛  张洪来  刘濮鲲  张明晨 《物理学报》2006,55(12):6677-6683
研究了一种新型的覆膜钡钨阴极——双层膜(Os-W/Re膜)钡钨阴极.对这种新型阴极的发射性能进行了测试,重点对其老炼前后表面薄膜的微观形貌进行了分析,表明中间层Re膜的加入使覆膜钡钨阴极的性能得到了改善.通过对Os-W双元合金膜钡钨阴极和Os-W/Re双层膜钡钨阴极发射特性的比较,发现Os-W/Re双层膜阴极的直流发射性能好于Os-W合金膜阴极.对两种阴极激活后发射表面的X射线光电子能谱分析表明,Os-W/Re双层膜阴极激活后表面形成的三元合金膜是其发射特性优于Os-W合金膜阴极的主要原因.应用扫描电子显微镜分析比较两种阴极激活老炼后的表面状态,结果表明:Os-W合金膜阴极在老炼一段时间后,其表面薄膜出现开裂,这会导致阴极发射均匀性下降;而Os-W/Re双层膜阴极在同样老炼条件下,发射表面薄膜均匀并保持完整,从而确保覆膜钡钨阴极发射均匀性和工作可靠性. 关键词: 双层膜钡钨阴极 Os-W/Re膜 Os-W膜 薄膜开裂  相似文献   
122.
用干涉方法测量薄膜应力   总被引:2,自引:2,他引:0  
基于基片弯曲法和牛顿环的基本原理,使用He-Ne激光器、扩束镜、凸透镜和带分光镜的移测显微镜,搭建了薄膜应力测量装置.采用直流溅射法制备了厚度为30~144 nm的银薄膜,衬底采用厚度为0.15 mm、直径为18 mm的圆形玻璃片.实验发现,薄膜厚度对银薄膜的内应力有显著的影响,在薄膜厚度很小时,随着薄膜厚度的增加,应力迅速增大,达到最大值后,随着厚度的继续增加,薄膜应力下降较快并趋于稳定值.  相似文献   
123.
纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象   总被引:4,自引:4,他引:0  
对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.  相似文献   
124.
用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102~2×102cm-1,相对介电常数为7~8.4,电荷面密度为2.5×1012~3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.  相似文献   
125.
Fe-Ag金属颗粒膜的巨磁电阻   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用量子唯象模型研究金属颗粒膜巨磁电阻的特性.在计算散射截面时,考虑了颗粒内各杂质原子之间的相位相干性.依据实验报告提供的颗粒尺寸分布的数据,推导了巨磁电阻依赖于颗粒尺寸及其分布和外磁场的函数表示式.对样品Fe-Ag的计算结果表明,其磁电阻随外磁场的变化和颗粒尺寸的分布有关;在某个颗粒尺寸标度D0,磁电阻出现极大值,尺寸标度D0的大小与外加磁场、样品材料和制备条件有关 关键词:  相似文献   
126.
张甫权  李痒 《电子学报》1992,20(8):80-82
用长脉冲激光(脉冲宽度150μs,波长1.06μm)辐照高温烧结的YBa_2Cu_3O_(7-x)靶,在6Pa的氧气压强下,巳在(100)YSZ单晶衬底上原位生成YBa_2Cu_(?)O_(7-x)超导膜。衬底置于750℃的加热器上,衬底与靶之间的距离5cm,用该法制得的薄膜光亮坚实,正常态呈金属性,零电阻温度为84.7K。用XRD和SEM对薄膜进行了分析研究。  相似文献   
127.
表面粗糙度测量的磁光位相调制和锁相干涉   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐文东  李锡善 《光学学报》1994,14(12):303-1307
提出了一种表面粗糙度测量的新方法,该方法采用了微分偏振干涉的原理,利用由法拉第磁光调制器所组成的调制系统对偏振干涉光路的位相进行调制,利用锁相干涉原理对位相进行探测,该方法可实现无参考面快速非接触测量,在普通实验条件下,也可保持良好的稳定恶性循环 ,实验装置即可给出表面的轮廓又可给出其它统计数据,其横向分辨率为1.2μm纵向为2nm。  相似文献   
128.
多层复合薄膜中成分变化的能谱研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
某种新型传感器材料采用在Si单晶基体上制备多层膜结构,这些膜的成分特性将对传感器的功能有重要影响。为配合新型传感器的开发,我们利用JEM-6301F场发射扫描电镜及EDS附件研究多层膜的成分变化特性,目的是为材料设计和工艺优化提供依据。实验过程及结果...  相似文献   
129.
本文研究了在低温(430℃)下用PECVD法淀积的SiO_xN_yH_z薄膜的直流电导特性。实验证实这种薄膜即使在x接近1时仍具有极低的电导率(8×10~(-17)Ω~(-1)·cm~(-1))在室温弱场强下其导电机理符合Mott模型。当温度较高时,Poole-Frenkel导电机构将起主导作用。而在常温强电场下,样品导电则从Fowler-Nordheim机构为主。直流电导研究进一步证实了我们关于x接近1的样品中存在SiO_xH_x和SiN_yH_z分离相,而不存在a-Si凝聚相的模型。  相似文献   
130.
文章介绍了高温超导薄膜微波非线性的主要特征,阐述了高温超导薄膜微波非线性产生的原因和相关的研究现状,指出了高温超导薄膜非线性研究中遇到的困难和尚未解决的问题.  相似文献   
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