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111.
激光淀积YBa2Cu3O7外延超导薄膜   总被引:4,自引:2,他引:2  
利用准分子脉冲激光成功地在(100)SrTiO_3与(100)Y-ZrO_2衬底上淀积了 YBa_2Cu_3O_7超导薄膜,T_c(R=0)>90K,J_c(T<82K)>1×10~6A/cm~2.研究了衬底温度对外延YBa_2Cu_3O_7薄膜超导性能及结构的影响.  相似文献   
112.
起爆药爆轰场和燃烧场的干涉法显示及其图像处理   总被引:3,自引:2,他引:1  
阎大鹏  苗鹏程 《光学学报》1992,12(6):65-569
本文介绍了利用脉冲YAG激光引爆起爆药产生爆轰流场或燃烧温度场,用时间序列干涉法首次获得了爆轰流场和起始燃烧过程的时间序列干涉图的实验结果.在此基础上,采用条纹曲线检测法和双三次多结点插值样条函数从干涉图上提取爆轰场冲击波的波阵面,并通过序列波阵面配准算法,定量地计算了冲击波的传播速度.同时,还定量计算了燃烧场温度随时间变化的分布.  相似文献   
113.
数字散斑干涉技术在振动分析中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
郑文  谭玉山 《光学学报》1992,12(7):42-646
首次将相移技术应用于频闪数字散斑干涉计量中,对物体的振动进行了定量分析.实验证明,这种方法有广泛的实用价值.另外,介绍了一套自动分析系统,讨论了各参数对测量结果的影响.  相似文献   
114.
用闪光蒸镀法在77K制备了NdxFe1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。  相似文献   
115.
用干涉法测量了β-BBO晶体的电光系数:γ22=2.6,γ33=0.23,γ31=0.25,γ51=-3.5×10-12m/V。结果表明如果在Y方向加电场,Z方向通光,β—BBO晶体可能制作成有应用价值的光开关。  相似文献   
116.
热处理WO3电变色膜稳定性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li^+电解质中进行比较性着色和消色循环实验,表明在290℃以下热退火处理能明显增加WO3薄膜在含水 电解质中的循环寿命。  相似文献   
117.
钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用   总被引:10,自引:1,他引:9  
刘芸  张良莹 《压电与声光》1996,18(3):194-200
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。  相似文献   
118.
金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
孙力  陈延峰  于涛  闵乃本  姜晓明  修立松 《物理学报》1996,45(10):1729-1736
利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO,SrTiO和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO薄膜.LaAlO衬底上的PbTiO薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO衬底上的PbTiO薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明了SrTiO衬底上的PbTiO薄膜的单畴特性.利用重掺杂的硅衬底作底电极,测量显示直接生长于硅衬底上的PbTiO多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词:  相似文献   
119.
等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I+离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词:  相似文献   
120.
采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法,刻蚀高Tc超导YBaCuO/ZrO2(100)薄膜图形,取得了较好的结果。在进行氩离子镜的工艺步骤中,使用普通氩离子铣设备(离子束斑极不均匀),但采取了一定的措施─-使被刻样品在刻蚀台座上可移动,模糊地实现了薄膜的相对"大面积"(直径φ≥20mm)均匀刻蚀─-可同时刻蚀2~3片6mm×10mm薄膜,并且被刻蚀部分表面起伏约在10nm左右。图形样品的最小线条达2μm,其Tc、Jc人与刻蚀前薄膜的Tc、Jc相当,即:TC为85~90K,Jc~106A/cm2(在77K下)。  相似文献   
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