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111.
基于FPGA并行处理的实时图像相关速度计   总被引:3,自引:1,他引:2  
周瑛  魏平 《光学技术》2006,32(1):108-110
研究制作了一种采用高速线阵CCD的实时相关速度计,其测量数据的输出速率可达每秒一万次。针对以往光学相关测速方法的问题进行了讨论,探讨了适合FPGA并行处理的算法,制作了高速线阵CCD摄像机及其处理装置。通过实验验证了系统的可行性和可实现性。  相似文献   
112.
摩擦强度对薄膜表面形态的作用:原子力显微镜下的观察   总被引:2,自引:2,他引:0  
郑文军 《液晶与显示》2002,17(6):422-428
展示了摩擦强度对聚酰亚胺薄膜表面形态的影响,原子力显微图像显示,机械摩擦会使聚酰亚胺薄膜表面上形成微沟槽,这些沟槽的表面具有丰富的表面精细构造。原子显微图像还揭示了机械摩擦可以改变被磨擦聚酰亚胺膜的表面形态。  相似文献   
113.
NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应,极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质(衬)底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi/Si和NiTi/SiO2微结构体系,包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因,通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较,发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中,这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。  相似文献   
114.
研究了用光漂白的方法制备PMMA/DR1聚合物非线性定向耦合器,提出了一种容易的制备方法来得到要求的耦合长度.测量了材料的光学非线性对定向耦合器两臂透过率的影响.实验结果表明由于光学非线性,耦合器的耦合长度随着入射光强度的改变而发生变化.  相似文献   
115.
孔英秀  韩军  尚小燕 《应用光学》2006,27(4):336-339
为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率,介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法:一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率;另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明:在线反算适合单点监控,所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此,采用最小二乘法拟合,即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息,所得结果误差很小,一般都在2%~5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。  相似文献   
116.
杜宇芳 《信息技术》2002,(3):23-23,27
介绍了微型计算机的两种不同类型的泄漏电流的危害及其测量方法。  相似文献   
117.
两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析   总被引:7,自引:1,他引:6  
比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟(ITO)薄膜在红外波段的光学特性实验发现,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率在波长1550nm附近的透过率可达86%以上,消光系数约为004,方电阻最低为100Ω/□.  相似文献   
118.
醇+N-甲基哌嗪二元体系的体积性质   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用振荡管式数字密度计分别测定甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、丁正醇和异丁醇与N-甲基哌嗪组成的二元体系在298.15K下的密度,计算了超额摩尔体积、超额偏摩尔体积、表观摩尔体积、偏摩尔体积等体积性质,从分子相互作用角度讨论了这些二元体系的体积性质的变化规律,为N-甲基哌嗪的开发和研究提供基础数据和信息。  相似文献   
119.
一种在Kalman滤波中引入径向速度测量的新方法   总被引:3,自引:1,他引:2  
王建国  龙腾  何佩琨 《信号处理》2002,18(5):414-416
研究在距离和径向速度测量噪声统计相关的情形下把径向速度测量引入Kalman滤波的新方法。分析了径向速度测量噪声与位置测量更新后状态滤波误差的统计相关性,根据Gauss-Markov定理导出了对应于径向速度测量的滤波方程由此而得到一种序贯滤波算法。两个不同的蒙特卡罗仿真表明,通过采用这一新算法引人径向速度测量,不仅可以大大提高状态估计的精度,而且其估计性能和计算效率优于传统的EKF。  相似文献   
120.
相变光盘介电薄膜ZnS-SiO2 的微结构和光学特性   总被引:2,自引:2,他引:0  
刘波  阮昊  干福熹 《光子学报》2003,32(7):834-836
采用射频磁控溅射法制备了ZnS-SiO2 介电薄膜,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS-SiO2薄膜微结构和折射率n的影响.研究表明,ZnS-SiO2薄膜中存在微小晶粒,大小为2~10 nm的ZnS颗粒分布在SiO2基体中,当溅射功率和溅射气压变化时,ZnS-SiO2薄膜的微结构和折射率n发生显著变化,微结构的变化是导致折射率n变化的主要原因,通过优化溅射条件可以制备适用于相变光盘的高质量ZnS-SiO2介电薄膜.  相似文献   
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