光学散射法表面特征的测量与分析*

光学表面评价和检测对光学研究, 尤其是短波段光学研究具有重要的意义。介绍了短波段掠入射表面散射线性模型, 并根据这个理论, 建立了软X 射线掠入射表面逆散射模型。利用这个数学模型对由软X 射线反射率计测得的数据进行计算, 得到通过散射测量所获得的样品表面特征值, 所测结果与WYKO 测量结果吻合。测量结果表明: 掠入射软X 射线光学散射法能够较为精确地计算出光滑表面粗糙度和表面自相关函数, 可以很直观地反应出光学表面形貌特征。     

FORWARD-LOOKING DISPLAY FED 与PDP和CRT的比较

本文通过对FED、PDP、CRT的原理结构分析和工艺比较，说明FED产业与PDP和CRT相比具有很大的资源兼容性，同时具有较好的性价比，是CRT行业适宜的平板显示替代产品。随着全球FED研究（特别是其中的SED）的不断进展，CRT行业会迎来一个新的发展机遇。     

多功能脉冲恒流源的研究

针对微弧氧化、离子渗氮等离子体表面处理工艺中有时需要电流恒定这一特点,提出一种新型的多功能脉冲恒流源,此电源既可以实现峰值电流恒流也可以实现平均值电流恒流,并且可以进行实时的转换。该电源的设计思想和具体实现方法在文中有详细的阐述,且其2种功能在不同的参数条件下均能稳定工作。另外,将此电源用于部分工艺实验后也产生了较好的效果。     

丁二酸改性电子墨水用球形SiO2颗粒的FTIR及XPS分析

采用丁二酸对球状亚微米级SiO2颗粒进行表面改性,以提高SiO2颗粒于四氯乙烯溶剂中的电泳性能,制备适于电子墨水用的白色电泳颗粒。利用傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子谱(XPS)和Zeta电位粒度仪,研究了丁二酸改性SiO2颗粒的表面键合情况及其在四氯乙烯溶剂中的Zeta电位变化情况。研究发现,丁二酸仅有一端的羧基与SiO2颗粒表面的羟基发生酯化反应,而且当丁二酸的用量为3g(50mL乙腈中)时,接枝于SiO2颗粒表面的丁二酸的量达到最大值,此时C1s(O—CO)/Si(原子比)有最大值为5.77×10-2。Zeta电位测试结果表明,丁二酸改性后的SiO2颗粒在四氯乙烯中的Zeta电位比改性前的SiO2颗粒提高了约5.5倍。     

激光技术与应用

采用简单的工艺制造具有集成6阶表面光栅的高功率单模980nm DBR锥形二极管激光器，热效应对高功率半导体激光器和泵浦激光模块性能的影响，一种用于泵浦的基于GaAs双极结晶体管结构采用新颖紧凑皮秒开关的高功率增益开关激光二极管，具有半导体光放大器的超高功率多段可调谐激光器的设计，不同半导体激光结构的双模动力学，     

电解铜箔生产与技术讲座（四） （3）

第四篇电解液与电解工艺 （三） 4.3生产设备与实践 4.3.1.辊式连续电解方法和设备 目前世界上大多数国家生产电解铜箔采用辊式连续电解方法，该方法是在电解槽内安装一个回转的阴极辊筒和不溶性材料制成阳极，辊筒底部浸在电解液中，通电后，溶液中的铜沉积到辊筒表面形成铜箔，再将此铜箔剥离，水洗、干燥、卷取，而后进一步进行表面处理。     

ZnO单晶薄膜光电响应特性

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.     

激光衍射法测量表面张力和表面压

实验上实现了低频液体表面波的激光衍射,提出了激光衍射法测量液体表面张力和表面压。当激光斜入射到几百赫兹液体表面波上,观察到反射光形成稳定的、清晰的衍射光斑。理论上导出了衍射光斑的角宽度和表面波波长的解析关系,实验上验证了液体表面波的色散关系,计算了蒸馏水的表面张力和蒸馏水中加入不溶性表面活性剂———“苯”单分子膜的表面压。根据其机理,建立起一种实时、非接触测量液体表面张力和表面压的实用方法。     

光纤表面等离子体波传感器用于固化监测的研究

介绍了一种利用光纤表面等离子体波传感器进行折射率测量的方法 ,并利用此方法对环氧树脂复合材料进行固化监测。对不同折射率的溶液进行了测试研究 ,并设计了一种用于折射率测量的光纤传感探头及整套的测试系统 ,用以对固化过程中环氧树脂在不同阶段的折射率变化进行实测。测试结果表明 ,该系统工作稳定、可靠 ,测试结果符合实际情况     

半绝缘GaAs的表面光伏谱研究

利用表面光伏法（ＳＰＶ）研究了半绝缘ＧａＡｓ（ＳＩ－ＧａＡｓ）的缺陷态,通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏向应主要是由于表面复合而在样品表面形成协流子浓度梯度引起的,通过实验表明ＳＰＶ是一种对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。