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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
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FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
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原子吸收光谱法测定铝锂合金中锂 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了用原子吸收光谱法在笑气-乙炔火焰中测定铝锂合金中锂的最佳条件。其电离干扰可通过加进钾进盐来控制。应用本法测定合金中 锂的含量,获得了满意结果。 相似文献
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《发光学报》2006,27(6):916-916
由中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员会主办,中国科学院激发态物理重点实验室承办,海南大学理工学院协办的第1届掺杂纳米材料发光性质学术会议于2006年11月5~7日在海南省海口市举行。这是国内外举办的首次掺杂纳米发光材料方面的专题学术研讨会。来自全国20个省市49个单位、香港地区(3人)以及美国(2人)、荷兰(1人)的专家学者总计100余人出席了此次会议。会议共收录论文摘要101篇,其中大会邀请报告8篇、分会邀请报告12篇、口头报告36篇、张贴报告45篇。内容涉及到:新型纳米发光材料与新的纳米合成、组装技术;纳米材料发光中的激发态过程;上转换纳米发光材料;纳米材料中的限域效应、表面效应及其诱导的新现象;表面修饰与核壳结构的纳米材料;一维纳米材料线、管及纳米薄膜的结构与发光性质;掺杂纳米材料发光中的新概念、新理论. 相似文献
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据《科学时报》近日报道,由中科院长春光机所、厦门大学共同承担的国家自然科学基金委员会重点项目“氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究”,日前正式通过了国家自然科学基金委信息科学部专家组的中期检查验收。该项目在国内率先获得了氧化锌同质结的电致发光,并且在国际上首次实现了蓝宝石衬底生长的氧化锌二极管室温电致发光,为今后氧化锌蓝紫外发光和激光二极管的发展奠定了实验基础。 相似文献
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首先介绍混合集成电路封装技术的发展,然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据,最后介绍新的混合集成电路封装材料。 相似文献
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基于体全息技术的WDM器件 总被引:2,自引:0,他引:2
利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法。本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能,并报道了国外对该项技术的研究进展。 相似文献