硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究

作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200～600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

VOCs催化燃烧整体式催化剂及涂层材料研究进展

催化燃烧法是当前处理VOCs最具有发展前景的技术之一,其技术的关键在于催化剂。整体式催化剂具有优异的传质、良好的热稳定性、高比表面积、床层压降低、催化效率高、机械性能好、易于装卸和维修等特点,是目前实现工业VOCs治理最佳的催化剂。本文概述了用于VOCs催化燃烧反应的整体式催化剂及其涂层材料的研究现状,并展望了未来的发展趋势。     

计算化学中的机器学习

机器学习带来的技术革命波及甚广,计算化学也从中受益.正确地将机器学习引入计算化学,有望突破现有方法在计算精度和计算效率上的瓶颈.本文针对计算化学中的机器学习方法及其应用,从势能面计算、分子动力学模拟和材料基因组工程中的分子设计三个方面进行了概述.     

微波组件幅相特性影响因素分析

以移相模块为例,仿真分析了电路基板的材料参数和微组装工艺参数对微波组件幅相特性的影响。基板的介电常数变化对组件相位的影响极大,对损耗的影响可忽略;介质损耗角正切和金属表面粗糙度变化对传输损耗的影响较大,对组件相位影响可忽略;级联金丝弧高和跨距变化对信号幅度和相位的影响较大。为保障微波组件的幅相一致性,应提高基板材料参数和微组装工艺参数的一致性;为提高组件性能,级联金丝的弧高应小于0.20 mm,金丝跨距应小于0.30 mm。     

有希望用于非线性光学元件的聚合物材料

聚合物材料容易生产,成本低,也许能改变全息摄影术、无损测试及安全应用。     

InP中皮秒快速现象

利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命，观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ，掺锌ＩｎＰ中载流子寿命３８ｐｓ居中，掺硫和掺铁的寿命最短约１ｐｓ掺硫、铁和锌的ＩｎＰ中载流子寿命下降，是由于掺杂引入了复合中心，这一结果已被喇曼光谱所证实。     

半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析

本项研究对经热壁外延（ＨＷＥ）生长在ＧａＡｓ基底上的ＺｎＴｅ进行分高分辨显微结构的观察，在ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。     

建筑装饰中环保型材料的分析与选择

本文作者分析了室内污染的来源,介绍了新型环保材料的特点及使用策略,展望了其发展前景。     

华工激光设备在冶金行业得到广泛应用

与传统加工手段相比，激光加工具有高质量、高效率、低能耗等优势。激光在材料加工和微加工领域解决了许多传统加工方法无法解决或很难解决的难题。也正因为如此，激光技术在冶金领域的应用受到广泛关注。