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介绍一种新的复合免疫标记技术(光镜荧光免疫标记结合电镜免疫金标记)陆月良,夏愿耀,颜永碧(第二军医大学中心实验室,上海200433)本方法将荧光免疫标记与免疫金标记技术二者相结合,使同一份样品能在荧光显微镜下观察,也可以进行电镜观察。我们采用这项技术... 相似文献
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非晶钛铝薄膜结构的RDF分析王永瑞,邹 骐,刘震云,卢党吾(上海交通大学材料科学系,上海200030)多年来,人们通过检测非晶、多晶薄膜的X射线衍射 ̄[1]或中子衍射呈径向对称分布的强度分布,导出其约化密度函数G(r)和径向分布函数(RDF),进而计... 相似文献
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玻璃陶瓷的SEM显微观察中的制样技术杨文言,潘素瑛(武汉工业大学材料研究与测试中心,武汉430070)玻璃陶瓷是通过适当组成的玻璃受控结晶而制成的 ̄[1]。这类材料是由大比例(>90%)的微晶(<1μm)和少量残余玻璃相所组成的无孔复合体。对于具有特... 相似文献
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报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K和GdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行比较,结果进一步支持了本文的结论。还测 相似文献
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采用激光感生荧光技术测量了Nd:MgO:LiNbO3晶体的偏振荧光光谱,简要地说明了Nd:MgO:LiNbO3双晶体腔内互倍频的基本原理,并在实验中用染料激光作泵浦源实现了其双晶体腔内互倍频运转;得到543nm横模倍频绿光单端输出约YMW,腔前泵浦阈值约38MW,总转换效率约为1.3%。 相似文献
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As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm 相似文献