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介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。 相似文献
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热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响 总被引：3，自引：0，他引：3
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ－Ｖ特性曲线畸变，平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ＾ｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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应用扫描隧道显微镜研究核纤层蛋白分子的装配闵光伟，佟向军，陈彬，刘忠范，丁明孝，翟中和（北京大学生命科学学院，北京大学化学系，北京１００８７）核纤层（ｌａｍｉｎａ）是指存在于细胞核膜内膜下的一层纤维网架结构，由ｌａｍｉｎ组成，ｌａｍｉｎ被证明是中间纤... 相似文献
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ｉＰＰ／ａＰＰ共混物薄膜的形态结构研究陈晔，杨德才（中国科学院长春应用化学研究所高分子物理开放实验室，长春１３００２２）聚烯烃共混物中，最常见的和已商品化的是ｉＰＰ与三元乙丙橡胶（ＥＰＤＭ）的共混物。人们一直用ＥＰＤＭ或乙丙无规共聚物（ＥＰＲ）作为增... 相似文献
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利用扫描俄歇显微术研究碳的电子结构林清英，张燕征（冶金部钢铁研究总院，北京１０００８１）在研究新工艺和开发新材料的过程中，往往需要了解亚微米范围的成分和结构，而目前在表面分析方法中，扫描俄歇电子显微技术（ＳＡＭ）主要用于分析２ｎｍ深度内的元素。本文根... 相似文献
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