一维光子晶体微腔在硅基材料发光中的应用研究

硅基材料的高效发光对未来硅基光电子集成的发展极其关键,含微腔的一维光子晶体可以显著提高其发光强度、窄化其发光峰.介绍了几种硅基材料发光的一维光子晶体微腔结构,包括单缺陷模式的对称与非对称结构、多缺陷模结构及电注入结构.利用传输矩阵法计算其缺陷模透射谱,以间接分析其发光谱.     

一种研究一维光子晶体缺陷模的新方法——解析法

为了解析地研究一维光子晶体的缺陷模,利用多光束干涉原理和布洛赫定理,推导出一维光子晶体缺陷模的解析公式.利用它对一维光子晶体的缺陷模进行了解析研究,得到了缺陷模的变化规律.这一方法克服了特征矩阵法和F-P法不能对缺陷模进行解析分析的弱点,是一种研究一维光子晶体缺陷模的精确和有效的方法.     

一种改进Faster R-CNN的太阳能电池片缺陷检测方法

针对传统太阳能电池片检测方法中检测时间过长,检测精度不高等缺点,提出了一种改进Faster R-CNN的太阳能电池片缺陷检测方法.以Faster R-CNN为框架,以ResNet50为网络主干,针对小目标缺陷,融入了基于FPN的多尺度检测网络,并应用了 GA-RPN结构,实现对太阳能电池片缺陷的检测.实验结果表明,较原...     

含色散负折射率缺陷一维Sinc函数型光子晶体的光学传输特性

应用传输矩阵法对含色散负折射率缺陷一维sinc函数型光子晶体的光学传输特性进行了研究。结果表明:含色散负折射率缺陷的sinc函数型光子晶体比含同样缺陷的余弦函数型光子晶体具有更宽阔的光子禁带;该光子晶体的禁带宽度随着介质层折射率nB(0)、nA(0)或半周期厚度的增大迅速收缩变窄,缺陷模消失;当光波入射角增大时,禁带宽度变宽,缺陷模与禁带一起红移;计算还发现该禁带结构对色散负折射率缺陷层的位置变动十分敏感;但是,缺陷层厚度的变化不会改变禁带的位置和宽度,此时缺陷模会随着缺陷层厚度的增大向着禁带中心移动。这些结论对一维函数型光子晶体的设计具有重要参考意义。     

SMT生产常见质量缺陷及解决办法

分析了在ＳＭＴ生产中常见质量缺陷产生的原因,并给出具体的解决办法。     

组合式非周期缺陷接地结构的滤波特性研究

提出了一种新型的具有双阻带特性的组合式非周期性缺陷接地结构(CNPDGS),利用时域有限差分法(FDTD)对其滤波特性进行了电磁仿真,研究了其结构尺寸变化对阻带特性的影响,研制了带宽可调节的双阻带滤波器,测量结果与仿真结果一致性很好,此结构的双阻带中心频率位置及它们之间的间隔随着结构参数的变化而变化,两阻带之间的间隔可从3.5GHz到12GHz.这种新型结构可有效地抑制信号中的低端和高端干扰,具有较好的带通滤波特性.     

脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究

研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0 0℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程     

掺硫NaCl晶体中（F_2~＋）_H心的形成及其稳定性

报道了掺硫ＮａＣｌ晶体（Ｆ＿２￣＋）＿Ｈ心的制备过程以及（Ｆ＿２￣＋）＿Ｈ心的室温避光稳定性。讨论了Ｓ２－对Ｆ＿２￣＋的稳定作用和（Ｐ＿２￣＋）Ｈ制备过程中的缺陷化学反应．研究表明．促使Ｆ３心热分解成Ｆ心和控制好转型光的辐照剂量是制备高浓度、高纯度（Ｆ＿２￣＋）＿Ｈ心材料的关键技术之一。     

γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究

通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产生的界面态俘获转移电荷所致;器件辐照后暗电流的增加将降低器件的有效信号输出幅度.     

无铅焊接工艺中常见缺陷及防止措施（5）

无铅化电子组装中,由于原材料的变化带来了一系列工艺的变化,随之产生许多新的焊接缺陷。本文针对离子迁移进行了产生机理分析,并给出了相应的解决措施。