Nonlinear Propagation of Coupling Optical Pulse under Compton Scattering in Laser Medium

After considering Kerr nonlinear effect,group velocity dispersion of host and gain distribution of active particle in laser amplifying medium,a basic equation describing propagation of the coupling optical pulse under the multi-photon nonlinear Compton scattering in the laser amplifying medium has been deduced. Besides,the profile and power spectrum of a picosecond-level super-Gaussian coupling pulse in the laser amplifying medium have been discussed when its central frequency coincides with the gain peak frequency of the laser amplifying medium.     

应用激光活化饵料藻种的研究

应用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5w,照射时间0.5-3 min)和Ar+激光(波长488nm,功率70mw,照射时间5-15min)对长期保存的不同保存形式的塔胞藻(Pyramidomonassp.)进行辐照处理。研究了不同剂量激光辐照对藻体生长和叶绿素含量的影响。实验结果表明:照射剂量为60s的Nd:YAG激光及剂量为15min的Ar+激光对液体保存形式的藻种有较明显的促长效果,接种后这两种激光处理组的比生长速率分别较对照提高达53.33%和28.89%,叶绿素含量分别增加73.33%和65.69%。两种激光对液体保存藻种的活化效果均好于固体保存种。     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。     

基于对地观测激光回波特征的目标特性研究

本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型，分析了分类地面目标的激光回波特征，提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。     

阵列天线的源场测试法

本文论述了基于源场法的阵列天线测试原理，给出了用该方法下的测试结果和远场法的测试结果，并对这两种方法测得的结果进行了简要分析。     

双级染料激光放大器泵浦能量分配的数值研究

用染料激光放大器的横向稳态泵浦理论，对不同的入射光能量选择不同的增益计算方法，研究了双级染料放大器的泵浦能量分配比例、泵浦光总能量和信号光能量大小对激光增益的影响。计算结果表明，对于其他参数确定的放大系统，存在着最佳的泵浦能量分配比例，可获得最大增益输出。通过自编程序的计算，可方便地找出特定系统泵浦能量分配比例的最佳值。     

机抖激光陀螺抖动机构的温度特性的研究

研究了机抖激光陀螺抖动偏频量与温度之间的关系。通过大量的重复性高低温实验,证明了抖动偏频量与温度的线性关系,并得到了拟合直线表达式。结果表明,抖动偏频量与温度具有较好的线性关系,而且具有较好的重复性。同时用抖动偏频量对陀螺的零漂进行补偿,提高了陀螺的精度。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。