中能重离子碰撞中的中子(质子)发射的同位旋效应

利用同位旋相关的量子分子动力学,对中能重离子碰撞过程中的中子和质子发射的同位旋效应进行了分析.计算结果表明在有动量相关作用条件下,在很宽的能量和碰撞参数范围内,缺中子碰撞系统的中子(质子)发射数强烈地依赖于同位旋相关的核子–核子碰撞截面,而较弱地依赖于对称势.在对丰中子碰撞系统的研究中,上述规律减弱.这样就可以通过实验上对缺中子碰撞系统的中子(质子)发射数的探测,来提取介质中同位旋相关核子–核子碰撞截面的知识.     

射频腔光阴极注入器发射度研究

 在激光驱动的光阴极注入器产生的高亮度电子束中，空间电荷引起发射度的增长。分析了射频腔中引起发射度增长的因素以及解决这个问题的办法——在射频腔的阴极附近加一个螺旋聚焦磁场进行补偿，也给出了补偿后电子束的发射度并和数值模拟结果进行比较，实验测试表明，所得结果比较符合。     

人工神经网络法校正ICP┐AES中重叠光谱干扰

本文将反向传播人工神经网络（ＢＰ－ＡＮＮ）用于ＩＣＰ－ＡＥＳ中重叠光谱干扰的校正。利用模拟的Ｃｅ４１３．３８０ｎｍ和Ｐｒ４１３．３６１ｎｍ光谱对神经网络的训练方式、输入值范围、噪声影响等作了较详细的讨论。     

相位共轭反馈下垂直腔面发射激光器动态分岔特性的理论研究

在传统半导体激光器动力学方程的基础上，突出了垂直腔面发射激光器(VCSELs)的微腔结构特点以及相位共轭反馈(PCF)的时间反演特性，建立起相位共轭反馈条件下的复合腔仿真模型。仿真结果表明：在外部反射率小于0．05的弱反馈条件下，垂直腔面发射激光器的微腔结构导致了它的动态特性与边发射器件有较大的区别，给出两者在混沌带的出现次数、存在范围以及分岔点的出现条件等方面的比较。相对于常规光反馈(COF)而言，相位共轭反馈的累积相位为零，这使得该机制下垂直腔面发射激光器表现出更为丰富的非线性特性。仿真中观察到常规光反馈经历了三个混沌带，相位共轭反馈经历了两个混沌带且稳定区域较宽；并发现在混沌吸引子产生的过程中常规光反馈光场的实虚部相空间轨迹保持对称，而相位共轭反馈的相空间轨迹则表现为对称的‘建立→破坏→再建立’这样的循环过程。     

美国实现第一个硅激光器

美国加利福尼亚大学已演示了据称第一个利用喇曼效应的硅（Si）激光器。这种发射波长为1675nm、具有25MHz重复频率时脉冲喇曼激光器采用硅波导作为增益介质，关键器件是硅上隔离的凸台波导和环绕该芯片的环形光纤。在9W峰值泵浦脉冲功率下获得激光阈值，并获得8．5％的斜效率。     

表面传导电子发射显示（SED）——一种新型平面显示面板

本文从显示原理、技术特点和发展前景，介绍一种有前途的新型实用化的先进平面显示面板一Surface-conduction Electron-emitter Display表面传导电子发射显示．简称SED。它具有CRT的显示特性并且SED还要比LCD薄，耗电量同样也要比LCD和其他显示设备小。有望成为新一代的显示器制作先驱。     

原子间的偶极相互作用对其在腔场中辐射谱的影响

研究了两个通过偶极-偶极力关联的两能级原子在单模腔场中的辐射谱,发现原子间偶极-偶极力的贡献;使辐射谱偏离关于中心频率的对称性.对真空场和强场情况作了细致的讨论.     

形变量对MAE及BN的影响

研究了无取向硅钢Ｗ２３Ｇ，Ｗ１０，Ｗ１４和取向硅钢Ｑ８Ｇ４种材料在不同形变量下的磁声发射（ＭＡＥ）和巴克豪森噪音（ＢＮ），结果表明ＭＡＥ随形变量增大而减少，ＢＮ随形变量的增大而增大．测量了形变量为１０．４％的Ｗ１８和Ｗ２３Ｇ在１００，２００，３００，…，７００°Ｃ各退火１ｈ的ＭＡＥ与ＢＮ值．其中ＭＡＥ值随退火温度的升高逐渐增大，ＢＮ值在高于５００°Ｃ退火时明显下降．并对上述实验结果进行了详细讨论．     

纳米随机激光

介绍了以纳米ZnO粉末作为增益介质产生的随机激光。讲述了随机激光的特点、发展历史和它的应用前景。文章以随机激光的理论为基础，描述了四种主要的用于随机激光研究的方法。