一种新型混合自适应均衡算法的研究

针对高性能的自适应均衡算法运算量大,实时处理困难的特点,提出了一种新型的混合自适应算法,即在均衡的训练阶段采用收敛速度快、跟踪时变信道能力强的平方根卡尔曼算法,而在正常工作状态采用具有一定跟踪性能且运算量较小的LMS算法,从而得到了一种高性能且运算量较小的新型自适应均衡算法。最后对这种混合算法的收敛速度和运算量进行了性能分析,计算机仿真结果证实了这种算法的可行性。     

舰船噪声波形结构特征提取及分类研究

本文系统深入地地分析研究了舰船噪声信号的时域波形结构特征,利用舰船器声信号的过零点,峰间幅值,波长差,波列面积分布以及时域特性提取技术,     

电视跟踪系统脱靶量动态滞后误差的修正

解决了电视跟踪系统脱靶量动态滞后误差修正中传统方法精度低、无法有效抑制随机误差的问题。分析指出目标在摄像机靶面上的成像点运动为机动,且认为机动加速度服从修正瑞利分布,采用了基于机动目标当前统计模型的自适应卡尔曼滤波算法进行误差修正。仿真结果表明,该算法较传统方法不但补偿精度高且极大抑制了随机误差。     

基于广义周期性的单通道多分量正弦调频信号分离和参数估计

针对噪声条件下的单通道多分量正弦调频(SFM)信号,该文提出一种信号分离和参数提取方法。利用正弦调频信号的广义周期性进行奇异值分解,以求出分量信号的调制频率;通过离散点搜索,估计出分量信号的调频(FM)初始相位、调制指数及载频,并对这些估计值利用信赖域算法进行优化,减小误差;利用内积计算,估计分量信号的幅度和初始相位。此外,还利用自相关矩阵特征值分解估计混合信号的信噪比(SNR),并根据信噪比确定停止分解的阈值。在仿真与分析中,针对具体的信号详细说明了该方法的各步骤,并在不同信噪比条件下分析了该方法的参数估计精确度。     

基于微型焊球的高密度叠层自适应封装技术

为了有效解决Ka频段信号在多层高密度叠层基板之间传输处理过程中的电气互联瓶颈问题,通过采用微型焊球在层间实现信号的垂直互联和支撑连接的方法,同时实现高密度叠层自适应封装,完成了一个高密度集成的小型化毫米波SIP低传输损耗模块的制作。对工作在Ka频段基于微型焊球的高密度叠层自适应封装的设计、制造工艺过程进行了深入研究,开拓了高密度叠层自适应封装微型焊球塌陷率精准控制工艺,基于微型焊球垂直互联以及电磁隔离的设计、SIW滤波器内埋、高密度多层基板焊接工艺等。     

基于OPG理论的自适应滤波器设计及其在图像处理中的应用

本文基于单参数变换群理论提出了一种新的自适应滤波器的设计方法,并且给出了滤波器与图象卷积的算法.参数变化后的滤波器的可以表示为事先给定的一组基本滤波器的线性组合.这种滤波器在不同方向、尺度和位置上和图像进行卷积时,可以显著提高运算效率.最后给出了一个图像边缘提取的算例,表明这种方法是有效的.     

高效自适应电荷泵研究与设计

针对小型LCD的LED背光驱动芯片的电源效率问题,研究并设计了一种高效的1X/1.5X自适应电荷泵.采用结构简单而实用的PAM负反馈控制技术,使电荷泵输出电压得以稳定.分析了电荷泵相关性能,讨论了电路高效优化设计的措施.在0.6 μm BiCMOS工艺模型下对电路进行了仿真,结果表明电荷泵能够实现1X/1.5X自适应模式变换功能,具有电源转化效率高(90.8%)和输出纹波低(67 mV)的特点.     

非致冷红外焦平面的噪声分析与非均匀性校正研究

非致冷红外焦平面阵列探测器具备体积小、无需致冷的优点,具有广泛的应用前景.然而非均匀性问题一直是制约其应用的根本原因,也是目前红外热成像研究的热点.论文通过分析实际的红外图像噪声特性,从图像恢复的角度,提出非均匀性校正的具体方案,并比较这两种图像恢复方案的实际效果,最后指出红外图像非均匀性校正算法的研究和发展的可能方向.     

SiC/SiO2核壳结构纳米线制备及光学性质研究

采用简单的气固反应,在Si衬底上成功制备了SiC一维纳米材料。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线电子能谱(EDX)、X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)等手段研究了材料的表面形貌、结构组成和光学性质。研究结果表明,制备的纳米材料为SiC/SiO2核壳结构纳米线,在室温时发射中心波长分别为380nm和505nm的紫外峰和绿光带。经分析认为,波长380nm的紫外峰来源于SiO2中的O空位缺陷;而中心波长505nm的绿光带则来源于受量子尺寸效应影响并包覆了SiO2外壳的SiC内核。     

抛光压力对PS/CeO2纳米复合磨粒抛光性能的影响

以采用改进无皂乳液聚合法制备的纳米尺寸聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用原位化学沉淀法制备了不同壳层厚度的PS/CeO2核/壳包覆结构复合微球。将所制备的复合颗粒用于二氧化硅介质层的化学机械抛光,用原子力显微镜测定晶片的微观形貌和粗糙度。电镜结果表明:复合颗粒呈规则球形,其PS内核尺寸约为72 nm,CeO2壳厚为5~20 nm。抛光结果显示:在本实验范围内,抛光速率随抛光压力的增加而增大,而过低(2.4 psi,1 psi=6 895 Pa)或过高(6.1 psi)的抛光压力均使晶片表面产生划痕。当抛光压力适中(4.5 psi)时,经复合磨料(壳厚约为13 nm)抛光后的晶片表面无明显划痕,在5μm×5μm范围内表面均方根粗糙度为0.265 nm,抛光速率达98.7 nm/min。