多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证.     

Feynman propagator for an arbitrary half-integral spin

Based on the solution to Bargmann-Wigner equation for a particle with arbitrary half-integral spin, a direct derivation of the projection operator and propagator for a particle with arbitrary half-integral spin is worked out. The projection operator constructed by Behrends and Fronsdal is re-deduced and confirmed and simplified, the general commutation rules and Feynman propagator with additional non-covariant terms for a free particle with arbitrary half-inteRzal spin are derived, and explicit expressions for the propagators for spins 3/2, 5/2 and 7/2 are provided.     

半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。     

结构改进的高压VDMOS功率晶体管

本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）

用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。     

低温,低频双极晶体管的噪声分析

建立了低温双极晶体管的低频噪声模型，对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析，并给出噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线，指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。     

采用雪崩晶体管产生窄脉冲

本文详细介绍了雪崩晶体管的工作原理,介绍和分析了一些可用于单脉冲选取、高速摄影控制、探地雷达以及固态脉冲源的典型电路,并给出了这些脉冲电路的测试结果。     

S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能

对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。