射频功率HBT自加热效应及补偿方法

从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。     

基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化

基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。     

一种实用的适用于移动自组织网络的认证协议

与传统网络相比，自组织网络本身存在许多系统脆弱性．使得传统网络安全机制不再适用于自组织网络。文章对传统PKI作必要改进，定义了适用于自组织网络的的公钥基础设施AH-PKI．并设计了一种基于AH-PKI的认证协议。     

Self-diffraction in Porous Silicon/PMMA-DR1 Composite Films

Two-layer structure consisting of PS/PMMA-DR1 composite film planar waveguide layer on porous silicon cladding layer was fabricated in our experiment. The induced grating based on the third nonlinear optical properties was formed by interaction of two Nd ： YAG laser beams at 1 064 nm in the porous silicon/PMMA-DR1 waveguide. The diffraction efficiency of the first order diffracted light is measured to be about 0.2% of the total output.     

基于NSA多尺度模型的人脸识别

提出了NSA多尺度模型.该模型摒弃了LSA模型中不同尺度的图像间具有线性映射关系的假设.首先利用神经网络建立不同尺度图像间的映射关系;其次使用反向传播算法训练神经网络确定这种映射关系;最后根据该映射关系由低分辨率图像估计高分辨率图像.利用对比度相似性量化估计图像与目标图像间的相似程度.将该模型用于人脸识别,提出利用梯度算子进行图像分割提高识别的准确性.实验结果表明,以该模型分析得到的对比度相似性为95.3634%;以该模型为基础的人脸识别系统对光照具有很好的鲁棒性.     

NETWORK INTRUSION DETECTION METHOD BASED ON RS-MSVM

A new method called RS-MSVM （Rough Set and Multi-class Support Vector Machine） is proposed for network intrusion detection. This method is based on rough set followed by MSVM for attribute reduction and classification respectively, The number of attributes of the network data used in this paper is reduced from 41 to 30 using rough set theory. The kernel function of HVDM-RBF （Heterogeneous Value Difference Metric Radial Basis Function）, based on the heterogeneous value difference metric of heterogeneous datasets, is constructed for the heterogeneous network data. HVDM-RBF and one-against-one method are applied to build MSVM. DARPA （Defense Advanced Research Projects Agency） intrusion detection evaluating data were used in the experiment. The testing results show that our method outperforms other methods mentioned in this paper on six aspects： detection accuracy, number of support vectors, false positive rate, falsc negative rate, training time and testing time.     

用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构

用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性.通过改变衬底温度、V/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析.     

新型槽栅MOSFETs的特性

采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.     

构建数字电视平台SMS系统的几点思考

本文介绍了数字电视平台SMS系统建设中的几点体会思考和经验。     

衬底温度对ZnO薄膜特性的影响

用脉冲激光沉积(PLD)的方法制备ZnO薄膜。通过对薄膜的X射线衍射(XRD)测试,分析了不同衬底温度下薄膜的结晶状况;通过对薄膜的光致发光谱线的测试,分析了不同衬底温度下薄膜的光致发光状况,同时进行了薄膜表面结构的测试。结果显示,衬底温度为400℃的样品结晶质量较高,具有C轴的择优取向,同时发光性能达到相对优化。