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971.
为保证获得数据的实时性以及滤除数据在获取过程中存在的一系列野值干扰,对标准最速跟踪微分器进行了仿真设计,然后利用鲁棒滤波理论对最速跟踪微分器的跟踪和抗野值功能进行了改进,并与标准最速跟踪微分器仿真结果进行了比较,表明经改进的最速跟踪微分器有更好的跟踪、抗野值干扰效果,并将之应用于实测电罗经数据的处理过程。 相似文献
972.
973.
974.
无线自组织网络(WANET)是一种由固定或者移动的主机通过无线链路构成的自治系统.由于在无线自组织网中,节点运行时所需要的能f来自于电池的有限供给,因此针对节能目的对WANET网络的组播路由算法进行改进很有必要.本文在MAODV的基础上从组播树构建的机理出发,提出了基于RREQ发送数据包、多播路由选择及激活的改进方案. 相似文献
975.
976.
In conventional light-emitting diodes (LED’s), the external efficiency is limited by total internal reflection at the semiconductor-air interface. An LED with a textured top surface can increase the light-extraction efficiency. This paper reports a new method to fabricate AlGaInP-based nanorod light emitting diodes (LEDs) by using self-assemble metal layer nano-masks and inductively coupled plasma (ICP). Light power measurements indicates that the scattering of photons considerably enhance the probability of escaping from the nanorod LEDs. The light-intensity of the nanorod LED is increased by 34% for a thin GaP window layer, and by 17% for 8 μm GaP window layer. The light power of the nanorod LED is increased by 25% and 13%, respectively. 相似文献
977.
2GS/s 6-bit 自校准快闪ADC 总被引:1,自引:1,他引:0
A single channel 2-GS/s 6-bit ADC with cascade resistive averaging and self foreground calibration is demonstrated in 0.18-μ m CMOS. The calibration method based on DAC trimming improves the linearity and dynamic performance further. The peak DNL and INL are measured as 0.34 and 0.22 LSB, respectively. The SNDR and SFDR have achieved 36.5 and 45.9 dB, respectively, with 1.22 MHz input signal and 2 GS/s. The proposed ADC, including on-chip track-and-hold amplifiers and clock buffers, consumes 570 mW from a single 1.8 V supply while operating at 2 GS/s. 相似文献
978.
Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. oindent 相似文献
979.
Bootloader是微处理器上电时运行的第一段代码,它可以通过通信接口实现对微处理器内部应用程序的更新升级,为网络化嵌入式产品的应用程序升级带来极大的便利.由于目前没有统一嵌入式系统的Bootloader.基于NEC78K0系列单片机自编程原理,设计出一个适用于78K0/Fx2系列单片机的Bootloader,并能够通过单片机串口在线升级应用程序. 相似文献
980.
提出了引入自组织方式的TD-SCDMA系统.分析了引入自组织方式的移动通信系统的诸多益处,对引入自组织方式后形成的混合网络中的关键技术问题加以研究.通过对关键技术问题的分析,并结合国内外研究现状,对TD-SCDMA系统的网络结构发展提出见解,寻求性能和可行性之间的良好的平衡点.研究表明,引入自组织方式的TD-SCDMA系统将是未来移动通信重要的研究方向之一. 相似文献