Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

“后配额时代”中国纺织品服装出口预测

本文利用单整自回归移动平均模型,依据2000年1月至2004年12月中国纺织品服装出口额数据,对2005年和2006年中国纺织品服装出口走势进行预测分析。     

分数布朗运动的新表示

构造了一类新的分数布朗运动模型，它不同于Mandelbrot,Barton及Decreusefond等人所定义的分数布朗运动模型。     

AD603在振动信号采集系统中的应用

本文介绍了ADI公司的电压控制增益低噪声、宽带放大器AD603的原理、特点及其在振动信号采集系统中应用的电路设计方法。     

激光二极管自混合干涉和微振动的实验观测

介绍了利用LabView软件虚拟示波器和信号源,对激光二极管自混合干涉和微振动进行的实验观测.该实验可以作为本科低年级学生的综合设计实验.     

适于12位和16位A／D转换器LSI的片上校准技术

晶体半导体公司研制了分辨率为16位、最大转换速度50k次/秒的A/D转换器和分辨率为12位、最大转换速度1M次/秒的A/D转换器LSI。这两种A/D转换器LSI都具有自校准非线性误差的功能,这种功能可调整与各位相对应的2~N(N是位数)个加权电容器的电容比。各位的电容器由偶数个小容量电容器构成,改变电容器数量的同时即可进行校准。用集成在芯片上的微计算机控制校准操作,可以使LSI制造过程中的试验变得简单。即使在用户正在使用着的系统上也能够自动进行校准,因而对温度变化和时效变化也能够进行补偿。     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。