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151.
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.  相似文献   
152.
在宽带自相关接收机中,自混频后的信号为正弦信号,本文提出了一种综合算法估计正弦信号的频率.综合算法仅需进行一次FFT和两点DFT运算,其运算量大大低于最大似然估计法,而估计性能却比粗略DFT算法好得多.  相似文献   
153.
采纳合理的保温结构,利用TE103单模腔微波烧结系统对添加6wt%Y2O3的自蔓延高温合成β-Sialon粉末的微波烧结行为、烧结样品的微观结构和力学性能进行了研究,SEM和TEM、HREM观察表明,烧结样品晶粒细小,微观结构均匀,力学性能测试表明在1600℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为470MPa,断裂韧性为5.0MPa·m-2,洛氏硬度为89.5;在1650℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为630MPa,断裂韧性为5.8MPa·m-2,洛氏硬度为91.6.  相似文献   
154.
本文给出了12种自回归模型在同方差和异方差条件下的预选条件.  相似文献   
155.
首先运用Stober溶胶凝胶法制备单分散Si02球形颗粒,通过扫描电镜研究各种反应条件如氨水浓度、无水乙醇的量、TEOS的浓度、温度等对二氧化硅的颗粒大小和形貌的影响,并通过SEM对样品的表面形貌进行了表征。通过研究改变垂直沉积法的各种条件对组装成的Si02光子晶体的带隙特性的影响。分析微球粒径、悬浮液中微球的体积分数、基片与液面之间所成的角度对光子晶体带隙性能的影响,并总结了较佳的垂直沉积法条件。  相似文献   
156.
为了减小ATP系统的像差对对准的影响,达到提高系统的对准精度的目的,文中以星间ATP系统中的高精度对准平台为基础,分析了激光器处于轴外发射状态时需要考虑的两个位置偏移量(离轴参量h/s和偏移参量ra),提出激光器的位置状态会对像差有着一定的影响.并通过数值仿真,分别分析了在存在激光器位置偏移量时各种像差对对准精度的影响情况.结果表明激光器发射的状态明显影响着像差对对准的影响程度,适当调节激光器发射状态有利于减小像差对对准精度的影响,进而提高对准精度.  相似文献   
157.
针对人物姿态迁移生成图像存在纹理细节丢失、姿态转移不合理等问题,提出一种融合自注意力机制的人物姿态迁移生成模型.首先,在两阶段姿态迁移生成模型的基础上,通过把改进的自注意力模块嵌入到生成对抗网络中,降低相似特征间的相互影响,强化对纹理细节的学习能力及丰富信息的捕获能力,增强姿态特征的显著性建模.然后,使用马尔可夫判别模...  相似文献   
158.
皮秒参数测量系统用于提供皮秒拍瓦激光系统的各项状态参数,协助激光系统达到预期的技术指标。针对皮秒拍瓦激光系统的技术指标,皮秒参数测量系统将提供压缩脉冲的能量、脉宽、远场、信噪比等参数。为了判断参数测量系统的工作性能,采用均方根(RMS)误差来描述测量系统的可靠性。经过实验测试,能量测量单元的测量范围为10~1000J,标定实验数据的RMS误差为2.2%。脉宽测量单元的时间测量范围为0.5~18.0ps,时间分辨率为0.07ps,测试数据的RMS误差为3%。远场测量单元的空间测量范围为150倍衍射极限(DL),空间分辨率为0.3倍DL,测试数据的RMS误差为0.15%。信噪比测量单元的时间测量范围为30ps,时间分辨率为0.3ps,动态范围为106。基于拍瓦实验提供的测试数据表明,皮秒参数测量系统能够稳定可靠地提供以上参数的实时测试数据,实现拍瓦装置的运行状态诊断功能。  相似文献   
159.
本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放大器在26~40GHz频段内增益为22±1dB,噪声优于3dB;在36GHz处噪声优于2.5dB。芯片尺寸为2.0mm×1.0mm×0.1mm。  相似文献   
160.
介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的原理,详细分析了此系统的硬件设计、软件设计以及扫描场的校正过程。利用硬件获取扫描图像,并进行实时标记校正,利用软件进行标记位置识别和校正参数计算,满足了曝光机对准系统在性能和精度上的要求。在100μm扫描场下进行拼接曝光实验,达到了77.3 nm(2σ)的拼接精度。  相似文献   
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