适于12位和16位A／D转换器LSI的片上校准技术

晶体半导体公司研制了分辨率为16位、最大转换速度50k次/秒的A/D转换器和分辨率为12位、最大转换速度1M次/秒的A/D转换器LSI。这两种A/D转换器LSI都具有自校准非线性误差的功能,这种功能可调整与各位相对应的2~N(N是位数)个加权电容器的电容比。各位的电容器由偶数个小容量电容器构成,改变电容器数量的同时即可进行校准。用集成在芯片上的微计算机控制校准操作,可以使LSI制造过程中的试验变得简单。即使在用户正在使用着的系统上也能够自动进行校准,因而对温度变化和时效变化也能够进行补偿。     

光栅衍射法测量超短光脉冲的宽度

本文详细阐明了光栅衍射法测量超短光脉冲宽度的原理。测量了ＴＥＡ－Ｎ２激光器泵浦的短腔染料激光器输出的光脉冲的宽度。其结果与用条纹相机测得的结果一致。     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

关于M序列的自相关函数的一点注记

本文讨论了Ｍ序列的自相关性，并证明了：当０＜｜ｔ－２＾ｎ－１｜≤［ｎ－１／２］时，｜ＣＭ（ｔ）｜≤２＾ｎ－１。     

脉压码时间旁瓣特性的研究

本文研究了脉压码时间旁瓣的特性。证明的几个定理。并利用时间旁瓣自身互补定理对６３位ＰＮ码的时间旁瓣作了相消仿真研究。用这种方法仅需要作很少的加法运算。文中还对优选码的问题举出实例以说明如何应用文中的定理来减少优选低旁瓣码的搜索时间。     

四路激光跟踪测量系统最佳测量区域和系统自标定

研究了系统最佳布局下的最佳测量区域问题,给出了几何精度衰减因子PDOP在三维空间内的变化规律。通过计算机仿真研究了最佳测量布局对系统自标定的影响规律,指出最佳测量布局中的标称配置对系统自标定精度的影响最小,同时这种布局有着最小的几何精度衰减因子。     

一种用于开关电源启动电路的新型自偏置高压器件结构

设计了一种新的用于离线式集成开关电源启动电路的自偏置高压器件结构.对一个RESURF高压(功率)器件的此种自偏置方法进行了原理分析和仿真模拟.采用该结构集成开关电源的启动电路可以节省芯片面积,降低电路功耗,易于控制且可提供较大的芯片内部电源电压.     

光控房门锁栓电路

利用手电筒光束、光敏电阻和步进马达，就能睡在床上不用起床随意启／闭房门上的锁栓．操作时只要将手电筒光束对准房内装在适当位置的光敏电阻．就可以遥控启／闭门栓。