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21.
22.
王众 《有线电视技术》2003,10(10):24-28
1 前言 一个电缆调制解调终端系统(CMTS)能支持多少个电缆调制解调器(CM)?这已经成为业内最经常被问及的问题。每个上行流有250个调制解调器?可能是,但这仅是对于一个给定的环境而言。如果那些环境比如频道带宽或用户带宽改变了又会怎样?每个用户实际上能得到多少带宽?他们需要多少? 回答这个问题的另一个办法是,所采用的CM数目要比使系统失效的CM数目少一个。虽然在开始阶段这一办法可能奏效;但很明显它无法扩展成较大的网络。现实的回答是那就要看情况了。如果能精确给  相似文献   
23.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。  相似文献   
24.
提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。  相似文献   
25.
本文从作战需求牵引和技术进步推动这两个方面入手,阐述了30余年来国外机载脉冲多普勒火控雷达的技术发展概况。  相似文献   
26.
DSP目前被广泛应用于许多领域,例如数字通信,图像处理,电机控制等方向。本文以TI公司的TMS520LF2407A芯片为例、介绍了DSP在电机测速中的应用,由于TI的2000系列芯片内含捕获单元和正交编码脉冲(QEP)电路,所以可以很方便地用于电机测速和控制。  相似文献   
27.
报道了利用最大输出功率为500mW的LD 纵向泵浦Cr∶ LiSAF/ LBO、利用平凹腔结构 获得430nm 连续蓝紫光激光输出的实验研究。Cr∶ LiSAF 激光晶体厚度为1. 01mm、掺杂浓度为2. 2 %。在LD 泵浦功率为320mW时,基频光860nm 的最大输出功率为3mW。此时,采用LBO 倍频晶体Ⅰ类临界相位匹配进行腔内倍频获得倍频光430nm 的最大输出功率为0. 54mW ,激光阈为101mW ,斜效率为0. 14 %。  相似文献   
28.
光学参量啁啾脉冲放大(OPCPA)技术将是替代CPA技术而产生脉宽更短、峰值功率更高脉冲激光的最新技术.目前超短超强脉冲激光技术发展的方向是采用OPCPA技术建立高柬质、高效率、脉宽小于30fs的峰值功率大于TW的小型化台面超短超强脉冲激光系统.  相似文献   
29.
通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。  相似文献   
30.
脉冲式半导体激光器准直光学系统的设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
陈炳林  张河  孙全意 《激光技术》2003,27(3):243-244
根据具体的探测环境和探测精度,通过理论分析,提出了脉冲式半导体激光器准直光束的单透镜设计方法和柱面透镜的设计方法,并且给出了具体的设计参数。可以获得高斯光束的准直发散角为1.48mrad;高斯光束的腰粗为0.325mm。  相似文献   
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