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激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
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本文从作战需求牵引和技术进步推动这两个方面入手,阐述了30余年来国外机载脉冲多普勒火控雷达的技术发展概况。 相似文献
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DSP目前被广泛应用于许多领域,例如数字通信,图像处理,电机控制等方向。本文以TI公司的TMS520LF2407A芯片为例、介绍了DSP在电机测速中的应用,由于TI的2000系列芯片内含捕获单元和正交编码脉冲(QEP)电路,所以可以很方便地用于电机测速和控制。 相似文献
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报道了利用最大输出功率为500mW的LD 纵向泵浦Cr∶ LiSAF/ LBO、利用平凹腔结构
获得430nm 连续蓝紫光激光输出的实验研究。Cr∶ LiSAF 激光晶体厚度为1. 01mm、掺杂浓度为2. 2 %。在LD 泵浦功率为320mW时,基频光860nm 的最大输出功率为3mW。此时,采用LBO 倍频晶体Ⅰ类临界相位匹配进行腔内倍频获得倍频光430nm 的最大输出功率为0. 54mW ,激光阈为101mW ,斜效率为0. 14 %。 相似文献
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光学参量啁啾脉冲放大(OPCPA)技术将是替代CPA技术而产生脉宽更短、峰值功率更高脉冲激光的最新技术.目前超短超强脉冲激光技术发展的方向是采用OPCPA技术建立高柬质、高效率、脉宽小于30fs的峰值功率大于TW的小型化台面超短超强脉冲激光系统. 相似文献
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通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。 相似文献
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