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21.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
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23.
本文从作战需求牵引和技术进步推动这两个方面入手,阐述了30余年来国外机载脉冲多普勒火控雷达的技术发展概况。 相似文献
24.
DSP目前被广泛应用于许多领域,例如数字通信,图像处理,电机控制等方向。本文以TI公司的TMS520LF2407A芯片为例、介绍了DSP在电机测速中的应用,由于TI的2000系列芯片内含捕获单元和正交编码脉冲(QEP)电路,所以可以很方便地用于电机测速和控制。 相似文献
25.
光学参量啁啾脉冲放大(OPCPA)技术将是替代CPA技术而产生脉宽更短、峰值功率更高脉冲激光的最新技术.目前超短超强脉冲激光技术发展的方向是采用OPCPA技术建立高柬质、高效率、脉宽小于30fs的峰值功率大于TW的小型化台面超短超强脉冲激光系统. 相似文献
26.
27.
基于对地观测激光回波特征的目标特性研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型,分析了分类地面目标的激光回波特征,提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。 相似文献
28.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
29.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展 总被引:7,自引:0,他引:7
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。 相似文献
30.