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21.
花丝内插物强化竖直管内凝结换热的实验研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
1前言大空隙率多孔体管内插物-绕花丝内插物,被认为是强化管内凝结换热的最有效途径之一[1].但以往的研究,由于实验雷诺数范围较小,蒸汽速度较低,要正确全面评价其性能尚显不够。本文在原有工作的基础上,进一步完善了实验系统,改进了测试手段,扩大了实验雷诺数范围,并测试了其阻力性能,对花丝内插物强化管内凝结换热进行了较深入全面的实验研究,以全面评价花丝内插物对管内凝结换热的强化效果。2实验系统本文实验系统如图1所示。实验段是一个竖直套管冷凝器,如图2所示.本试验研究蒸汽完全凝结时的传热。凝结水流量采用容积法计…  相似文献   
22.
基于时分处理的FIR内播滤波器的设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
朱宇  卫国 《无线通信技术》2002,11(1):33-36,39
本文从设计原理和硬件结构两个方面对FIR内插滤波器的设计与实现方法进行了分析。以降低年开销和提高处理速度为目标,提出了基于滤波器时分处理的多相滤波器设计方法,并针对具体器件就算法的实现进行了讨论。最后,以第三代移动通信系统WCDMA中基带成形滤波器为实例比较了几种方法之间的差异。  相似文献   
23.
比例遥迭控不仅能对被控对象的电源通断进行控制,而且能使被控对象在整个动作范围内的任意位置都能按操纵者的意愿随意动作并精确定位。文中介绍了一种将比例遥控与脉宽调速有机结合起来设计的一套多路比例遥控直流电动机脉宽调速电路。利用该电路可使几路小功率直流电动机的转速按操纵杆动作成比例变化的调整控制,且各路调整可同时进行了,互不干扰。  相似文献   
24.
采用MSDI严格角动量投影46Ti、48Cr形变HF谱   总被引:1,自引:1,他引:0  
韩勇 《中国物理 C》1998,22(11):1020-1028
采用修正的表面δ相互作用(MSDI),以球形壳模型单粒子态作基矢,对fp壳层区偶偶核46Ti、48Cr进行形变Hartree–Fock(HF)计算,并用形变HF单粒子态构造Slater行列式波函数,即形变HF内禀态,然后对其实施严格角动量投影程序,得到比较合理的结果.  相似文献   
25.
存储媒体的媒体内同步反馈控制算法   总被引:14,自引:1,他引:13  
许延  常义林  刘增基 《电子学报》2002,30(9):1344-1348
本文提出了一种存储媒体的媒体内同步反馈控制算法,该方案是建立在缓冲区占用率控制基础上,通过周期性地检查缓冲区的占用情况来检测失步,并将其反馈给发送方,由发送方对发送帧速率进行调整。文章给出了接收方所需缓冲区的设计准则及发送帧速率的调整方法,并分析了算法中各参数对同步性能的影响。实验表明该方案能够处理由于网络传输时延特性变化引起的失步,与其它反馈控制方案相比具有更低的数据丢弃率,从而使接收端播放平滑连续,具有良好的视频播放质量。  相似文献   
26.
树华 《物理》2006,35(4):321-321
一般人使用喷墨打印机来打印文件和图片+这种技术将细小的彩色墨滴从喷嘴中挤压出来.然而,在电子学和医学中正越来越多地用这种技术产生小体积的液滴.例如,使用压电晶体从一根针头中挤压出含有细胞的溶液,产生活细胞的二维和三维图像.但是细胞液滴的大小受到针头直径大小的限制+因而这种方法不能产生小于100μm同左右的液滴.这意味着很难制成带有细微特征的小的生物组织.  相似文献   
27.
具有种内互惠作用的Lotka-Volterra互惠共存模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
对具有种内互惠作用的Lotka-Volterra互惠共存模型进行了完整的全局分析,得到了一些新的结果。  相似文献   
28.
 通过数值求解一维瞬态受激布里渊散射(SBS)声光耦合波方程,从理论上分析了泵浦激光参数及光学材料参数对SBS过程发生阈值的影响。以SBS过程中建立起来的应力场抗拉(压)强度和散射场的反射率为判据,分析了激光脉宽及作用区域长度对激光超声破坏材料效果的影响,探讨了短脉冲激光(约ns)引起的激光超声对材料的破坏机理;讨论了通过参数配置有效遏制SBS过程激光超声对光学材料的破坏问题。  相似文献   
29.
介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。  相似文献   
30.
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。  相似文献   
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