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111.
关于气体中有无速率为无穷大分子的再讨论   总被引:1,自引:1,他引:0  
关荣华 《物理与工程》2003,13(1):52-52,61
本文以较简捷的方法讨论了气体分子速率问题,给出了计算分子最大速率的理论公式,通过这些讨论可更加深入地理解气体中分子的运动情况,准确地理解麦克斯韦速率分布函数。  相似文献   
112.
用反射法自动测量大尺寸样品的折射率分布   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对大尺寸样品的折射率分布测量,引入自动扫描装置和适时数据处理系统,研究出一种高灵敏度的智能化反射法折射率分布测量仪,可进行快速、自动、准确的折射率分布测量.经理论分析和实验研究提出了一套合理的实验数据处理方法.并具体介绍和详尽分析了实验装置,讨论了有关理论和实验误差,给出了消除各种误差的有效方法,最终得出较为理想的实验结果.  相似文献   
113.
通过130Te(16O,5nγ)141Nd反应布居了141Nd的高自旋态能级. 对反应产生的在束γ射线进行了γ射线单谱和γ-γ符合测量. 建立了激发能达7614.5keV的141Nd能级纲图,新发现了12条γ射线和15个能级. 基于实验测量的γ跃迁各向异性,建议了141Nd部分能级的自旋值. 用一个h11/2价中子空穴与142Nd核芯晕态的耦合可以定性地解释141Nd的能级结构.  相似文献   
114.
基于化学热力学平衡分析方法,计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律,研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明,氧化性气氛下,As以As2O5、As4O6、AsO等氧化物的形式存在;Se主要以SeO2形式存在;Pb在1000 K以下主要是固态PbSO4,1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下,As在较低温度时为固态As2S2,900-1400 K以As2、AsS、AsN气体共存,2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H2Se存在,1100 K开始生成SeS和Se2气体,1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO;Pb在中低温时主要是PbS,1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS(g)、PbS(g)、SeS(g)的比例,氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响;Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小,但对Pb的形态分布影响较大。  相似文献   
115.
F-H实验仪与光栅光谱仪连用观测253.7nm谱线   总被引:1,自引:0,他引:1  
梁方束 《物理实验》2003,23(8):36-37,39
通过F-H实验仪和光栅光谱仪的连用,可实时观测汞原子从6s6s1So态激发到6s6sSP1态,退激时,辐射出能量为4.9eV的光量子,其波长为253.7nm.  相似文献   
116.
单粒子势模型下价核子的密度分布   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
依据实验事实,利用单粒子势模型,计算了一些核态外层价核子的密度分布.计算给出了价核子在核外部分布的概率和贡献,以此作为晕核态的判断标准.通过研究均方根半径随结合能变化的规律,指出了晕核态存在的条件,尤其是质子晕核态存在的条件.这些对判断和寻找晕核态有现实的指导意义. 关键词: 单粒子势模型 价核子 密度分布 中子晕核态 质子晕核态  相似文献   
117.
 给出了低阻抗二极管产生的电子束能谱分布及外加磁场对二极管阻抗影响的数值模拟研究结果。结果表明,即使在外加电压恒定的条件下,二极管产生的电子束也具有一定的能谱分布,这说明用二极管电压、电流波形计算脉冲电子束能谱分布是不正确的。另外,外加磁场对低阻抗二极管的阻抗特性具有较大影响,其阻抗随外加磁场的增大而减小。分析认为这是由于外加磁场强度的变化改变了二极管中束电子的运动轨迹。当没有外加磁场或外加磁场较小时,低阻抗二极管产生的电子束发生自箍缩,此时二极管电流是自箍缩饱和顺位流;当外加磁场足够强时,电子束的自箍缩被抑制,二极管电流是没有箍缩时的空间电荷限制电流。束电流小于自箍缩临界电流的二极管其阻抗将不随外加磁场的变化而变化。  相似文献   
118.
本研究的是混合效应-Ⅱ模型,首先,给出二阶模型存在D-最优回归设计点的必要条件。其次,组合D-最优回归设计和D-最优区组设计BIBD构造D-最优设计并给出寻找新的D-最优设计点的方法。以两种有代表性的组合误差分布为例,阐明新的D-最优设计点的获得过程,并给出了数值结果。  相似文献   
119.
蔡炜颖  李志锋  陆卫  李守荣  梁平治 《物理学报》2003,52(11):2923-2928
采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究,根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型,通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描,得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算,其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏,反映出实际器件的不均匀性,为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据. 关键词: Raman光谱 Si桥 温度分布 热导  相似文献   
120.
网格计算及其应用   总被引:9,自引:0,他引:9  
网络计算给互联网带来了新的活力,它是一种新型的分布计算技术,致力于解决复杂度很高的新应用问题,文中简述了网格计算的定义、体系结构、关键问题、当前几个有代表性的网格系统以及网格应用实例,并分析了风格计算发展趋势。  相似文献   
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