锗硅纳米晶材料光学性质的第一性原理研究

为了研究锗硅纳米镶嵌结构的光学性质与晶粒尺寸之间的关系,采用基于第一性原理局域密度泛函理论的平面波近似方 法对SiO2基质中的不同纳米晶粒模型进行了模拟计算,并分析了其能带结构、态密度和光学性质。结果表明,锗晶结构和硅晶结构分别 在费米能级以上3.3eV及4.3eV附近引入中间能级;微小尺寸晶粒的光吸收边随晶粒尺寸的增大先红移后蓝移。本文关于锗硅纳米晶结构 的可见光发射来自界面处缺陷的说法具有较高的可信度。镶嵌于SiO2基质中的锗纳米晶和硅纳米晶存在适用量子限制模型的最小尺寸限。 这些结论为改进材料的光学性能和深入研究纳米镶嵌材料的发光机理提供了一定的依据。     

一种小型化超宽带单极子短波天线设计

短波天线不仅要求超宽带(3～30 MHz),并且由于存在尺寸庞大的难题,对天线的小型化和结构简洁有苛刻要求.提出了一种金属线结构的新型单极子短波天线,结构简洁,通过分形辐射振子和T型馈电结构获得超宽工作频带和小型化性能,同时还能够调整天线姿态实现全向或定向辐射,以及一定程度上改变天线波束指向仰角.为验证设计的有效性,加...     

In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜, 并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性 能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换 Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高, 其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂 质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄 膜相近。     

具有反馈控制的非自治Logistic模型的正周期解

A nonautonomous delayed logistic model with linear feedback regulation is pro- posed in this paper.Sufficient conditions are derived for the existence,uniqueness and global asymptotic stability of positive periodic solution of the model.     

旋转编码开关在PLC项目中的应用

针对PLC项目中的某些参数调节问题,研究了带按键旋转编码开关的工作原理及使用方法。基于西门子S7-1200系列PLC设计了实验,包括硬件配置、接线图及程序设计。通过研究带按键旋转编码开关的工作原理,并对其输出信号进行了分析。根据元件输出特性对PLC进行编程,完成了对开关旋转方向的判别及信号提取。经实验验证,该设计能够实现对参数增减的灵活调节功能,带按键旋转编码开关具有可靠性高、操作便捷、控制精准、调节范围广等特点,将其应用到基于PLC的晶体生长炉控制系统中,使得对晶体生长控制系统的操作更加便捷。     

有机薄膜电致发光器件的研究

系统介绍了有机电致发光器件(OLED)的结构和发光机理,从有机半导体的能带结构和OLED的能带结构,分析了OLED发光过程,指出了如何提高器件的发光效率.最后概述了器件的最新进展和应用前景,并展望了未来OLED发展的方向.     

利用AE文字特效工具制作随机线条

在影视片头、宣传片等电视节目制作中,随机线条已经成为一种比较流行的表现方式。就其形式来看,它并不复杂,简单明快。就其效果来看,它既能表现动感,又有很强的装饰画面作用。而且,它还可用作遮罩。然而,以前我们制作随机线条比较麻烦。先要为色块制作若干mask,然后手动调节参数使它运动,但随机性不好,费时费力。用FractalNoise滤镜可制作随机线条,但效果也不尽如人意。下面笔者介绍一个简单的方法,利用AfterEffect6.0新增的文字动画效果可以对位置、大小、透明度、颜色进行随机调节,很方便地制作出随机线条。本文旨在与大家交流,举一反三…     

WinCC中应用MATLAB开发模糊解耦控制的方法

详细阐述了将MATLAB中开发的模糊解耦控制算法改写成一个C函数,将其封装在动态连接库中.通过WinCC调用动态连接库,将模糊控制的输出通过MPI多点传输协议传递给PLC驱动执行器,实现电石炉控制系统电极调节的模糊解耦控制.     

电阻网络在集成电路电子音量调节中的应用

提出了一种新颖的电阻网络设计方法,该方法设计误差小、音量调节精度高、版图容易实现。该设计方法是在串联电阻网络的基础上进行了改进,提出了串并联电阻网络结构,误差降到0．6％以内。实现了串联电阻网络无法实现的大衰减,可达99dB,调节步进为1dB．     

面内双轴应力作用下单层黑磷能带性质研究

通过第一性原理对平面内双轴应力作用下的单层黑磷能带结构进行了计算.双轴拉伸应力作用下单层黑磷始终保持直接带隙性质,双轴压缩应力作用下的单层黑磷则发生了直接带隙转变为间接带隙的现象,当双轴压缩应力增加到7%时单层黑磷带隙闭合.