量子阱红外探测器能带结构的计算

利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应，计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构，并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K-P模型比较发现，本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下，用两种方法计算得到的AlGaAs／GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明，在较宽的范围内，本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。     

中高档耳机导购——滋“音”补“耳”

不同的音乐能带给我们或震撼、或温馨．或快乐．或忧伤的感觉。优美的旋律能给予人一种莫大的享受．而一部好的耳机对我们的耳朵来说，无疑是最佳的“滋补品”——纯净真实的音色．丰富的空间感和准确的方位感，使聆听者很容易进入一种“旁若无人”的境界……     

线性电压扫描下1VIIS器件瞬态的简单模型

本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外，还给出了几种不同电压扫描率下I/Y特性的计算结果，并与已往的模型作了比较.     

迈克耳逊干涉仪的彩色光环的调节与拍摄

本文介绍了迈克耳逊干涉仪的彩色光环的产生机理、快速调节与拍摄方法。     

SR—600A型机器人的位控系统

本文介绍了ＳＲ－６００Ａ机器人控制器的硬件配置，分析了其上位机的运动规划过程及下位机数字位置伺服部分。     

新型蓝绿发光材料ZnSe／BeTe超晶格的能带剪裁

由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。     

能带理论在LED发光过程中的应用

本文通过能带理论分析了半导体p-n结处能带发生弯曲的原因。继而通俗、简要地说明发光二极管（LED）的微观发光机理，然后提出了制作LED所用材料的选择原则：由材料所具有的适当带隙来保证辐射光的频率或光色。     

Analysis of Three Coupled Defects in One-Dimensional Photonic Bandgap Structure

The mutual interaction of three different defects in photonic crystals is studied theoretically. A theoretical model based on the classical wave analogue of the tight-binding （TB） picture is applied to the structure. We obtain analytic expressions for the eigenfrequencies and eigenmodes, from which the transmissions at resonance are derived. Based on this, a new type of the photonic quantum-well structure is investigated and its possible application is discussed. The TB predictions are compared with the transfer matrix method simulation results.