界面偶极如何影响有机与钙钛矿太阳电池的能带结构与性能

界面能带结构是指界面处电子能带的弯曲和倾斜。它能显著影响载流子的产生、注入、分离、传输、复合和收集等过程,是半导体光电子器件性能的重要影响因素。因此,优化界面能带结构、调控器件性能与工作机理是光电子器件领域的核心课题之一。如果将一组相距很近的正负点电荷肩并肩排列所组成的偶极层插入器件界面,电势能穿过偶极层时会发生突变,将能有效调控界面能带结构和载流子运动过程。     

基于高通量解析算法的复杂样品重叠气相色谱-质谱信号的快速分析

化学计量学算法为重叠气相色谱-质谱(GC-MS)信号的解析提供了有效手段,但其在计算过程中一般需要将数据进行分段处理,然后只对信号的某些区间进行解析,难以实现真正意义上的高通量分析。该文结合移动窗口目标转换因子分析(MWTTFA)和非负免疫算法(NNIA),建立了一种高通量解析方法。首先,根据所有可能存在的目标组分的标准质谱信息,利用MWTTFA检验复杂信号中存在的组分,并确定目标组分的质谱信息和洗脱时间区域。以得到的质谱信息作为后续计算的输入值,利用NNIA解析得到相应的色谱信息。采用快速升温程序对17种和42种农药混合标准样品的GC-MS信号进行分析,利用所建立的方法可在10 min内得到全部组分的色谱和质谱信息。     

势能面特征与过渡态熵及A因子

反应体系的势能面,对了解反应的微观过程起着重要的作用,它的特征决定了化学反应的机理.原则上,由反应体系的Schrodinger方程的解,可得到体系能量随核间距变化的函数,从而获得势能面.除少数简单反应外,几乎无法精确求得复杂反应体系的势能面.因而,除从头算法外,人们先后发展了计算势能面的一些半经验方法.对某一反应,文献中可能记载好几个势能面,因此,在分析反应或计算反应的各物理量时,应当说明所应用的是何种势能面.我们曾指出,过渡态熵的可靠性,有赖于提供过渡态参数的势能面.本文从下述基元反应     

Ca2B2O5的电子结构和能带结构

合成了标题化合物,在已测晶体结构的基础上,利用含组态作用的INDO/S方法计算了其他电子能带结构;利用态求和方法计算了微结构分子的线性极化率及其晶体的平均折射率。分析结果表明,价带主要由B^3^+和O^2^-离子的价轨道的贡献,导带底部主要由Ca^2^+离子轨道的贡献,从O^2^-离子到Ca^2^+离子的电荷转移对线性极化率起主要贡献。     

GaAs(100)解理面的能带弯曲

在真空中解理后,用XPS测得了GaAs样品（110）断面能带弯曲的动态过程．两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0．3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1．3eV,它们的禁带宽度理论值为1．42eV,这说明结果是合理的．根据实验结果,对引起GaAs表面能带弯曲的可能原因进行了分析讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛豫过程中产生的缺陷可能是导致能带弯曲的主要原因．     

含氮杂环并苯类高聚物结构与能带规律的从头算和半经验量子化学研究

采用从头算ＨＦ和半经验量子化学方法,对含氮杂环并苯类高聚物体系进行几何结构优化．比较不同方法下它们的电子性质的差异,揭示聚并苯、聚并吡啶、聚并吡嗪的能带分布特征和规律．为深入研究导电、发光等功能材料及能带匹配器件的分子设计提供依据．     

一维〔M（tmp）〕_2ReO_4（M＝Ni、Cu、Pd）聚合物的能带结构

用紧束缚ＥＨＴ晶体轨道方法对一维〔Ｍ（ｔｍｐ）〕_２ＲｅＯ_４（Ｍ＝Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ）聚合物进行了能带计算，利用键向量近似方法对能带的结构及组成进行了讨论。结果表明，该类型聚合物具有不同的导电机理，并进一步研究了环平面间的成键性质及转角改变对聚合物导电性能的影响。     

三峰三波长动力学法测定微量溴和碘及其机理研究

本文利用“溴酸盐氧化溴代邻苯三酚红”为指示反应，根据溴或碘离子的浓度与指示反应速度之间的定量关系，用分光光度计扫描，动力学多波长测定微量溴或碘的含量，并对反应机理作了初步探讨。     

EMG模型参数间的联系

通过色谱拖尾峰EMG数学模型的计算机数值计算, 建立了拖尾峰特征参数之间的三类不同性质的线性关系, 佐证并修正了一些经验公式, 提出了计算模型参数与保留时间之间线性关系的新方法。     

峰宽法快速测定程序升温脱附活化能

TPD技术^[1]已成为研究固体表面性质的重要手段,本文在总结前人工作的基础上考察了TPD谱峰峰宽和相应参数与脱附活化能(E_d)之间的变化规律,证明用任意峰宽法或半峰宽法测定E_d值有很好的实用性,该法直接运用TPD谱图参数,无需另外作图,故十分快速、简便,与其它方法比较,结果吻合。