多射频源复合式能量采集系统优化设计

为了解决大规模监测预警系统中无线传感器节点的能耗问题,提高无线射频能量采集模块的速度,设计了一种可实现多射频源复合式能量采集的集成充电电池系统。通过仿真和实验比较了升压电路中普通二极管和肖特基二极管对输出电压的影响,同时讨论了能量采集系统的转化效率与输出功率。仿真结果表明利用肖特基二极管构成的升压电路可以在较短时间内有效增大输出电压,尤其测试得到在手机频率信号范围内系统升压稳定,从而实现了低功耗和高效率。     

非对称双MOSFET器件

FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够轻易进行同步降琏转换器的布局和走线。     

氧化锌压敏电阻老化过程中非线性系数变化的研究

根据氧化锌压敏电阻(MOV)的非线性特征,结合双肖特基(Schottky)势垒理论和氧化锌陶瓷在小电流区的导电机制,提出了氧化锌压敏电阻老化劣化过程中必然伴随着非线性系数α的变化的结论.针对一种型号的MOV,通过大量实验数据分析得出:在不同老化劣化实验条件下,MOV的非线性系数α均随劣化程度的增加而呈下降趋势;在标称电...     

Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析

随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。     

同步整流通过降低功耗提高效率

正一些应用要求尽可能高的功率效率。例如,在某种恶劣环境下,要求DC/DC电源在高环境温度下工作,这时就需要低功耗,以让半导体器件的结温保持在其额定范围以内。其他应用可能必须达到"能源之星"规范或者绿色模式标准的严格效率要求。电池供电型应用的用户希望获得最长的运行时间,而降低功耗可以直接延迟设备运行时间。今天,我们都知道,     

220GHz 平衡式二倍频器设计

本文介绍一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz 平衡式二倍频器设计。通过输入、输出信号的电磁场模式 变化实现平衡结构,并控制偏置电压和输入功率使二极管工作于变容模式。采用HFSS 和ADS 联合仿真获得最佳二极管 嵌入电路,输入功率为50mW 时得到最佳变频效率为21%,在212GHz 至235GHz 范围内变频损耗优于8dB。     

基于平面肖特基二极管的太赫兹频段倍频器的研究

基于研究肖特基变容二极管的半导体层结构分析与建模,通过研究太赫兹平面肖特基势全二极管半导体材料的 物理层结构,分析二极管结构的电磁效应及其频率响应特性。研究D 频段变容二极管高效率倍频器技术,在太赫兹频段 倍频器的性能对整个接收机的性能有着至关重要的影响。要实现高频率,高功率,宽频带,高效率,低噪声太赫兹倍频 技术是太赫兹技术领域的核心研究方向之一。研究基肖特基二极管倍频器的关键技术,分析了国内外现状及发展动态。     

具APD电流监视器的DC／DC转换器

Intersil推出高性能PWM（脉宽调制）控制器ISL6535。整合了12V、高速3AMOSFET栅极电路驱动器，可以实现出色的栅极电路驱动能力，并能利用较经济的MOSFET提高工作效率。该转换器还能提供和吸收电流，非常适于DDR（双数据速率）存储器应用。     

多孔硅的电致发光

采用横向阳极氧化技术在n型单晶硅衬底上制备多孔硅,室温下光荧光谱峰值位于688nm;表面蒸铝形成铝/多孔硅/硅的类肖特基结构,并观察到采用这种方法生长的多孔硅样品的室温电致发光。铝/多孔硅结具有良好的整流特性,在-10V内反向漏电流小于50nA,理想因子为7。室温电致发光的阈值电流为8.5mA,发光强度随正向电流的增加而加强。     

Pt／InP肖特基二极管气敏特性的研究

本文研究了Ｐｔ／ｎ－ＩｎＰ肖特基二极管在氢、氧气氛下的Ｉ－Ｖ、Ｃ－Ｖ以及复阻抗谱特性．测试结果表明：在氢气氛下势垒高度降低，在氧气氛下势垒高度增加，对二者均有良好的敏感特性．