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91.
设计并研制成功了实用型5GHz带宽InGaAs/InP PIN光电探测器,介绍了限制探测器响应速度的主要因素,微波封装的理论依据,以及所研制器件频率响应的测试结果。 相似文献
92.
高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系 总被引:2,自引:0,他引:2
在200~300K范围内测量了n-HgCdTe的电学参数,并推导了载流子浓度,迁移率,电阻和组分的关系表达式,所得结果与红外光谱测量数据符合,利用HgCdTe光导器件的电阻-温度特性确定组分,不需要电阻的精确值,是一种判断器件均匀性和性能的有效方法。 相似文献
93.
GAOHui LIYan YANGLi-ping DENGHong 《半导体光子学与技术》2005,11(2):85-88,106
Hexagonal microtube ZnO was firstly grown on single crystal p-Si (111) substrates by hydrothermal method, and fabricated Ag/n-ZnO and Au/n-ZnO Schottky junction. Schottky effective barrier heights were calculated by I-V measurement. It is confirmed that the presence of a large amount of surface states related possibly to lattice imperfections existed near the surface leads to the pinning of the surface Fermi level at 0.35 eV below the conduction-band edge. Then the fabricated Schottky barrier junctions are evaluated for their use as UV photodetectors. 相似文献
94.
主要介绍了在室温下工作的红外焦平面的研究进展,非致冷红外焦平面阵列的研制主要分两大类,即热释电焦平面阵列以是辐射热红外焦平面阵列,文中较为详细地介绍这两种探测器的材料及结构,并给出国外对这两咎探测器结构研究的最新发展趋势。 相似文献
95.
本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊 相似文献
96.
97.
太赫兹半导体探测器研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
太赫兹(THz)探测器是THz技术应用的关键器件之一.基于半导体的全固态THz量子阱探测器(THzQWIP)具有探测响应速度快、制作工艺成熟、体积小和易集成等优点.文章简要介绍了THz探测器的分类和特点,重点介绍了THzQWIP的工作原理和研究进展. 相似文献
99.
红外焦平面探测器的输入电路性能分析 总被引:3,自引:0,他引:3
在混合式红外焦平面阵列中,探测器和读出电路之间的耦合是通过输入电路完成的。本文论述了输入电路在焦平面传输中的作用,分析了焦平面输入电路的性能,讨论了焦平面输入电路对红外焦平面阵列探测器设计的影响。 相似文献
100.
介绍了高温超导红外探测器电极材料的选择和制备。选用先蒸、后蒸金,再合金化的电极工艺。芯片装配成器件后,器件性能稳定,膜层牢固,接触电阻小。 相似文献