高温超导红外探测器的电极工艺探讨

介绍了高温超导红外探测器电极材料的选择和制备。选用先蒸、后蒸金，再合金化的电极工艺。芯片装配成器件后，器件性能稳定，膜层牢固，接触电阻小。     

基于超宽β-Ga2O3微米带的日盲光电探测器研究

氧化镓的禁带宽度接近5 eV,是一种极具前景的日盲紫外探测半导体材料。基于碳热还原法生长高质量β-Ga₂O₃微米带制备出MSM(Metal-Semiconductor-Metal)结构光电导紫外探测器,研究了不同的结构对光电器件性能的影响。结果表明等间距叉指电极光电探测器相较于两端电阻型光电探测器有更优异的性能。在10 V/254 nm紫外光照下,其响应度、外部量子效率、比探测率和光响应时间等性能提高明显,其中光电流(I_photo)有接近2个数量级的提升,且-2 V附近光暗电流比值增大至2.29×10⁵。随着叉指电极间距从50μm缩减至20μm,器件I_photo变大,其物理机制归因于阳极附近的耗尽层占据电极间微米带的比例增大引发了更高的光生载流子输运效率。     

用于非接触温度测量的装置

本发明涉及用于非接触温度测量装置，它包括一个探测器，从被测物体上的一个受测点辐射的电磁辐射可以利用成像光学器件成象于其上。它还具有一个瞄准装置，用来识别被测物体上的受测点的位置和／或尺寸，该瞄准装置包含用来提供至少两个瞄准光束的光源，其中，在一个经济和可靠的实施例中，为各瞄准光束的生成提供一个独立的光源。     

基于混合PN／肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管

第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。     

用于TDLAS二氧化碳检测系统的光电探测电路设计

通过精确检测CO2气体浓度控制CO2气体排放是治理大气温室效应过程中最重要的部分,采用TDLAS技术构建的CO2气体检测系统稳定度高、精密性好,是一种新型的检气方法.设计了一种应用于TDLAS型CO2检测系统的光电转换模块,用于接收转换气体选频吸收后的激光信号.激光经过CO2气体选频吸收后被光电二极管接收,由TLV35...     

光损伤肖特基钙钛矿探测器的光电特性分析

为了研究飞秒激光对光电探测器光学性能的影响,本文对飞秒脉冲激光辐照CsPbBr₃背靠背肖特基光电探测器的损伤特性,以及不同激光功率密度下的光电性能进行了研究。利用化学气相沉积法在ITO叉指电极上沉积CsPbBr₃微米晶薄膜,制备了背靠背肖特基型全无机钙钛矿光电探测器。利用脉冲宽度为35 fs的钛宝石飞秒激光器辐照CsPbBr₃光电探测器,通过显微镜观察不同激光功率密度下CsPbBr₃多晶薄膜的损伤形貌,并研究了不同功率密度损伤下肖特基结构的钙钛矿光电探测器的光电性能变化。结果表明：自制的全无机金属卤化物肖特基光电探测器具有较高的损伤阈值,达到了2.1 W/cm²,并且在样品轻度损伤的情况下,样品的光电特性出现了一定程度的提升,光谱响应度出现了50 nm的展宽,并且在部分薄膜受热脱落后,器件仍然保持一定的光电探测性能。     

《半导体技术》39卷总目次

正~~     

红外焦平面阵列非均匀性自适应校正算法研究

在分析红外焦平面阵列非均匀性校正现行算法的基础上,提出了一种具有自适应性能的新算法。该算法以小波变换中的滤波器理论为基础,通过将图像序列在时间域的尺度分解和相庆统计量计算,获得在红外焦平面校正中起影响的偏置和增益系数。模拟实验结果验证了其有效性和先进性。     

红外探测器模拟器设计与实现

红外探测器模拟器主要用于红外信息处理机的软硬件调试。通过产生模拟探测器输出信号的方式为红外信息处理机的调试提供探测器信号输入源。该模拟器可对128×128、256×256,320×256等红外焦平面探测器的输出信号进行模拟。对于红外成像系统实际采集的或者经过计算机合成的图像序列的原始数据,模拟器通过内部的大容量FLASH芯片保存并可以循环回放。该探测器模拟器已经在某红外成像系统信息处理机的软硬件调试中得到应用,效果良好。