p型硅片上激光诱导局部化学沉镍

在以肼为还原剂的碱性化学镀镍溶液中实现ｐ型单晶硅片上激光诱导微区化学沉镍，讨论了激光能量、照射时间对镍沉积层的影响，使用ＳＥＭ、ＡＥＳ和ＲＢＳ等方面对镀层的形貌、性质进行了分析。激光诱导化学沉积得到了均匀致密、结合力好的纯镍镀层。镀层与基体间具有Ｓｃｈｏｔｔｋｙ接触特性。     

La2CuO4+δ和La2-xSrxCuO4系统中的电子输运性质

 本文解释了La₂CuO_4+δ（0≤δ≤0.09）和La_2-xSr_xCuO₄（0≤x≤0.3）两种p型系统含铜稀土氧化物中的电阻和Seebeck系数与温度的依赖关系，在室温以上，一氧大气压下的La₂CuO_4+δ系统趋于失氧；在500 K以上，超导样品显示出失氧的一级相变，并且恢复到反铁磁相。在转变温度T₁≈300 K以下，对0<δ<0.05成份的样品，相分离成反铁磁相和超导相；而在T_cρ≈100 K的温度范围内，超导相进一步分离成富空穴和贫空穴畴。在0.04≤δ≤0.09范围内，T_c处的电阻陡降出现了台阶；我们认为，它反映了电子成对的起伏。在La_2-xSr_xCuO₄系统中，对于成分为01≈300 K以上，空穴的运动是弥散的，但是ΔH_m=0；而对于x≥0.22的样品，经历了从平滑到Fermi液态的转变。成份为0c1范围（其中空穴继续以弥散方式运动）是亚稳的，但是，在T_cρ≤150 K范围，出现了电荷起伏。当样品冷却通过T₁时，对于成份为0.15≤x≤0.2的样品，经历了由弥散到强质量增强巡游电子状态的转变；在T_c处，从均匀的修饰电子的正常态凝聚成超导的载流子对。在超导成份样品的正常态中，不寻常的电子-晶格相互作用，可以归结为在CuO₂面上从更离子性的到共价性的Cu:3d_x²-r²─O:P_σ键合的转变；通过这种转变，轨道杂化和Hubbard U参量随Cu─O键长和Cu原子上的外表局域氧化态都产生灵敏的变化。     

苯乙烯本体聚合反应的动态光散射研究

首次用动态光散射方法跟踪了苯乙烯本体聚合全过程的光子丁关光谱，研究了散射哟度、聚合物平移扩散和、分子量分布随聚合反应的，获得了有关聚合系和活性分子链物理状态的信息，如玻璃态的微观非均一性及活性分子链比较刚硬等。     

毛细管电泳芯片的模拟设计与实验研究

利用ANSYS软件对毛细管电泳芯片微沟道内样品流动情况进行模拟 ,获得了不同进样模式下微沟道的结构与流体流速之间的关系 ,对芯片整体结构参数进行设计 :毛细管微沟道最终尺寸为宽度 16 μm ,深度 10 μm ,有效分离长度为 3.5cm的圆角转弯形沟道。采用激光诱导荧光原理进行实验测试 ,建立测试系统 ,对两段不同长度的DNA片段实现了基线分离 ,研究结果为毛细管电泳芯片的进一步应用奠定了基础     

浅谈PPTC电路保护元件

自复保险丝是近几年出现的新型正温度系数过流保护元件,英文名称为“Polyswitch”,即高分子聚合物开关之意,主要用于小功率电子设备的短路及过载保护。与传统保险丝相比,其可恢复功能无与伦比,并且这种恢复过程可重复数千次。PPTC电路保护元件典型的应用包括计算机外设、电信设备、二次充电电池、电源、汽车电子及变压器等。PPTC工作原理以美国瑞侃公司的自复保险丝为例进行说明。如图1(a)所示,自复保险丝主要以经过特殊处理的聚合树脂(Polymer)为基础,掺入导体而构成。在正常情况下,聚合树脂将导体微粒紧密束缚于结晶状的结构内,构成一…     

寓能力培养于知识传授之中——常微初等积分法教学的改革尝试

章介绍了作在常微初等积分法教学中以知识传授为载体，运用诱导发现法教学，注重培养学生创造性思维能力所得到的一些成果。     

碱化法制备聚合氯化铁絮凝剂的稳定性和形态分布研究

采用碱化法制备高浓度聚合氯化铁工艺得到了不同碱化剂和稳定剂的不同加入时间对形态分布的影响，以及碱化剂加入速度和碱化度对稳定性的影响，研究结果表明：作为碱化剂，NaHCO3优于NaOH；先加入稳定剂的制备方法对提高PFC的稳定性及混凝特性有利；在碱化度B=0．4时制备的PFC稳定性最差。     

Track Etching of PET Studied by Spectrophotometer

Energetic heavy ion passing through polymeiic materials can produce a cylindrical intensively damaged area along the ion path, which is referred to as latent ion track. Large amount of small molecule fragments are produced inside ion track through interactions between the ion and the target atoms, which made it easy to be chemically etched compared to the bulk material. Porous membranes with nanometer and micrometer sized pores can therefore be produced through proper etching of the ion irradiated polymer film. As the pores are well aligned with respect to each other and the pore geometric shape can be finely controlled, the so produced ion track membrane has found wide applications.     

Vertical and Smooth, etching of InP by Cl2／CH4／Ar Inductively Coupled Plasma at Room Temperature

We study the room-temperature dry, etching of InP by inductively coupled plasma (ICP) using C12/CH4/Ar mixtures. Etches were characterized in terms of anisotropy and surface roughness by scanning electron microscopy and atomic force microscopy, respectively. It is found that the flow ratio between C12 and Ctt4, ICP power, rf chuck power, and table temperature can greatly influence the, etching results. By adjusting, etching parameters,vertical sidewall and smooth surface can be obtained simultaneously, together with a moderate, etch rate and a good select ratio. The root-mean-square surface roughness is measured to be as low as 0.27nm. To the best of our knowledge, this is the best result for InP to date. The, etch rate is 855nm/min, and the selectivity ratio overSi02 is estimated to be higher than 15:1. The stoichiometry of the, etched surface has also been investigated by Auger electron spectroscopy. The, etched surface is found to manifest a slight P deficiency, and the ratio between P and In reaches the stoichiometric value within about 0.75nm depth into the surface.