利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法

强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0.18μm×0.15μm nMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.     

MOS器件1／f噪声理论及应用

本文推出MOS器件1/f噪声理论,可以用于包括强反型亚饱和区及饱和区在内的任何漏压偏置状态,是迄今适用范围最宽的一种理论。利用本理论,可以通过噪声测量确定器件的一些特性参数,从而提出一种不同于传统方法的参数测试新方法。这些研究表明,本理论有很好的实用价值。     

染料调Q技术在激光微区分析仪中的应用

全文分为引言，调Q技术工作原理、调Q技术的应用及问题讨论等几个部分。     

一种新型CO2激光器电源

CO2激光器工作在辉光放电区，属于负阻器件．因此要想稳定放电，对于一般的平特性（或近似平特性）直流高压电源来说，必须串接镇流电阻R．以满足气体放电稳定性条件：     

基于C8051F微控制器的多温区测控系统设计

介绍了以C8051F005微处理器为基础的多温区测控系统的设计方案,对比分析了选用C8051F005的优势,给出了系统中的硬件和软件组成以及各模块功能和系统软件流程.     

具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.     

Microdisk Laser Dominated by Single Quantum Dot

Researchers at Stanford and Northwestern universities and the National Institute of Standards and Technology （NIST） in the USA have fabricated highly efficient micronsized disk lasers in which a single quantum dot can play a dominant role in the device＇s performance When tuned correctly, the microdisk lasers switch on at energies in the sub-microwatt range, and could perhaps yield the ultimate low-power laser for fiber-optic telecoms, optical computing and optical standards, the researchers claim.     

多点曲率补偿的带隙基准电压源设计方法

提出了一种对带隙基准电压进行多点曲率补偿的新思路,给出了它的设计原理、推导过程和一种实现电路.与传统的曲率校正方法不同,分布式曲率补偿着眼于在整个温度范围内寻找多个基准输出电压对温度的一阶导数的零点,从而限定基准输出电压随温度变化曲线的幅度,使曲线更平缓,达到提高曲率补偿效果的目的.采用ST公司的0.18μm CMOS工艺对实现电路进行了电路模拟,结果表明,在-45～120℃的温度范围内,采用该方法设计的带隙基准电源的温度系数仅为1ppm/℃.     

国内首个应用GPS和GLONAS双卫星导航定位系统在哈尔滨落户

哈尔滨日报报道，国内首个基于双卫星的综合应用服务系统将于6月在哈尔滨建成。该系统网络覆盖包括哈尔滨市城区周边区、县（市），总面积达3．2万平方公里，定位误差在1m之内。     

多区集群移动通信系统的话务量模拟和分析

本文介绍了多区集群移动通信系统及其话务特性，在此基础上提出了一种对多区集群移动通信系统进行计算机话务模拟的方法，并给出了模拟和分析的结果。