运算放大器饱和特性对微分电路响应的影响

用运算放大器构造的微分电路可能存在饱和现象,导致输出与输入电压之间不满足微分关系,使微分电路失去应有性能。在应用时应该避免出现饱和现象,在教学中则应使学生理解饱和现象的特点。本文详细分析了在脉冲电压作用下微分电路的输入输出关系,重点是输出饱和时,微分电路模型的建立和分析方法。基于仿真工具和实验手段,对理论分析结果进行了验证。分析内容可以作为电路理论、电子技术、电工学等课程教学内容的扩展。     

基于迟滞模式控制的开关电源系统设计

针对现行迟滞模式控制的开关电源系统技术问题,设计了一种基于迟滞模式控制的开关电源系统,由迟滞比较、电压采样、三角波产生、逻辑控制等功能模块构成。迟滞的设计存在于误差放大器的后级,其输出COMP为VOUT的采样信号于基准电压的放大信号,输出信号反馈节点FB端的工作迟滞量较小,三角波信号与COMP进行迟滞比较,它的三角斜率与采样换相点的电压基本无关。实验结果表明,基于迟滞模式控制的开关电源系统工作频率与负载轻重无关、具有较快的瞬态响应速度、较小的输出电压纹波,且工作频率受输入和输出电压影响较小。     

一种新型偏置电路的CMOS亚阈型电压基准源

文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压。为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构。该结构采用了一种新型的偏置电路．使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流。该电路采用0,6μmCMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10^-6（V／℃）。     

NMOS器件ESD特性模拟

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。     

与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N—CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。     

不同管电压下前瞻性心电门控双源CT诊断冠心病的比较分析

本研究探讨前瞻性心电门控双源CT低管电压在冠心病诊断中的应用价值。回顾性选取60例冠心病患者,根据管电压分为观察组(管电压80 kV)和对照组(管电压100 kV),观察两组诊断情况、图像质量等差异。观察组和对照组诊断冠状动脉狭窄的灵敏性、特异性、准确性、阳性预测值、阴性预测值、冠状动脉节段图像质量评分比较,差异无统计学意义(P>0.05)。观察组和对照组升主动脉根部、右冠状动脉开口、左冠状动脉开口管腔CT值、信噪比(SNR)和对比噪声比(CNR)比较,差异无统计学意义(P>0.05)。观察组剂量长度乘积(DLP)、容积CT剂量指数(CTDIvol)和有效辐射剂量(ED)明显低于对照组(P<0.05)。观察组心率<75次/分患者冠状动脉节段图像质量优于心率≥75次/分患者(P<0.05)。因此,前瞻性心电门控双源CT低管电压在冠心病诊断中有较好的应用价值,具有图像质量好、辐射剂量低等优点,同时心率会影响图像质量。     

Correlation investigation between contact approach speed of handheld metal rod and discharge parameters from charged human body

Characteristic measurement of contact discharge currents are made through a hand-held metal rod from charged human body. Correlation coefficients are obtained, through Statistic Package for Social Science （SPSS）, for various charge voltages, which is based on the effect test of electrode contact approach speeds on discharge current parameters of current peaks, maximum rising slope and spark lengths. Discharge parameters at charge voltage 300V are independent on approach speed. For charge voltages equal to and higher than 500V, the contact approach speed has strong positive correlation with discharge parameters of the peak current and the maximum rising slope, whereas has strong negative correlation with the spark length.     

CdS 纳米粒子掺杂的液晶显示器件的低开启电压和频率调制特性

降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要.在本研究中,3 nm 和 5 nm 两种不同尺寸的 CAS 纳米粒子被用来掺杂入 5CB 液晶材料.掺杂浓度分别为 0.1 wt%和 0.2 wt%.掺杂所得到的液晶显示器件的开启电压由于纳米粒子的影响而被降低,最多可达到25%.并且,相比于前期报道的金属纳米粒子掺杂的液晶显示器件,CdS 纳米粒子显示出稍弱的频率调制特性.     

500 V体硅N-LDMOS器件的研究

借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500 V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟.在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响.优化后该器件表面电场分布良好,通过Ⅰ-Ⅴ曲线可知,关态和开态耐压均超过500 V,开启电压在1.65 V左右,可以很好应用于各种高压功率集成芯片,具有很好的发展前景.     

测控站高功放电压驻波比自动检测系统的实现

提出了一种测控站高功放上行馈线大功率电压驻波比检测系统,阐述了其实现过程和方法,该系统可以比较准确地测量发射机满功率时馈线反射情况。通过此系统可以对测控站高功放工作能力进行快速评估,对于测控站高功放分系统的使用与维护具有一定意义。