全文获取类型
收费全文 | 604篇 |
免费 | 50篇 |
国内免费 | 120篇 |
专业分类
化学 | 173篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 23篇 |
综合类 | 12篇 |
数学 | 12篇 |
物理学 | 129篇 |
无线电 | 424篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 22篇 |
2022年 | 37篇 |
2021年 | 38篇 |
2020年 | 12篇 |
2019年 | 24篇 |
2018年 | 14篇 |
2017年 | 20篇 |
2016年 | 22篇 |
2015年 | 21篇 |
2014年 | 42篇 |
2013年 | 31篇 |
2012年 | 30篇 |
2011年 | 33篇 |
2010年 | 36篇 |
2009年 | 26篇 |
2008年 | 30篇 |
2007年 | 39篇 |
2006年 | 23篇 |
2005年 | 44篇 |
2004年 | 29篇 |
2003年 | 25篇 |
2002年 | 24篇 |
2001年 | 14篇 |
2000年 | 8篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 15篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 15篇 |
1994年 | 9篇 |
1993年 | 11篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 14篇 |
1990年 | 11篇 |
1989年 | 6篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有774条查询结果,搜索用时 172 毫秒
81.
以固相法合成的三乙四胺钴配合物为研究体系,采用正离子电喷雾串联质谱、紫外-可见吸收光谱、拉曼共振光谱和红外光谱等表征手段,研究了配合物与氧分子的相互作用过程及配合物在吸氧过程中的结构变化。结果表明,三乙四胺钴配合物的吸氧过程是一个动态的变化过程,氧合产物由双氧双桥联的氧合配合物CoⅢL-(O2)2-CoⅢL形式向双羟基桥联的老化配合物CoⅢL-(OH)2-CoⅢL形式转变;18O2同位素标记实验验证了Co-O-O-Co的存在。酸解实验说明OH桥联配合物的形成是造成可逆性差的根本原因。这些结果为探知多胺钴配合物的氧合结构和老化机理提供了新的研究方法和实验依据。 相似文献
82.
复杂条件下有机高分子材料的老化、寿命预测和防治研究对满足相关行业发展的迫切需求,实现节能减排、环境保护及可持续发展等战略目标具有重大意义。本文重点综述了近年来针对聚烯烃、工程塑料、橡胶、涂料等大宗高分子材料在我国复杂大气环境中的自然老化及人工模拟加速老化研究的新进展,对材料老化失效基本规律和分子机理、老化数据库的建立及老化分级图谱的绘制进行了介绍,探讨了户外自然环境和人工模拟环境下材料老化失效规律的对应关系、服役寿命理论的预测模型及失效防治延寿新方法,并对其中存在的问题及下一步发展方向进行了展望。 相似文献
83.
在集成电路静态老化测试中,对被测电路持续施加特殊的固定测试矢量,使被测电路产生较大的漏电功耗,有利于其早期失效的发生,获得更好地老化效果.提出一种产生最大漏电功耗的测试矢量选取方法.在被测电路中设置合适的固定故障,通过ATPG方法获取较小的备选测试矢量集合.基于门电路的故障相关输入状态,设计了一种度量指标,可用于辅助在备选测试矢量集合中搜索目标矢量.该度量指标与电路漏电功耗总体上为正相关关系,可有效降低误选测试矢量的风险. 相似文献
84.
85.
86.
GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法 总被引:3,自引:0,他引:3
GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理,并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导,进而建立了老化数学模型。同时,利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算,提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法,并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值。提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点,具有很好的实际应用价值。 相似文献
87.
采用对架空光缆外护套材料试件进行长期自然暴晒的试验方法,对国内部分地区运行中的架空光缆存在的外护套力学性能劣化问题进行了分析,总结了不同种类外护套材料主要力学性能随时间变化的趋势:低烟无卤阻燃外护套材料的断裂伸长率下降最为明显,暴晒8年后该性能保留率仅为44.1%;线性低密度聚乙烯在三种聚乙烯外护套材料中更具耐环境应力开裂的优势。 相似文献
88.
89.
90.
在BurnIn的生产过程中,会出现测试不稳定,低良品率等问题。对于这样的问题,工程师会通过调试程序来确定,是芯片本身出现的偏差,还是测试程序不够稳定,或者是BurnIn板子由于长时间使用,导致插座接触不良。对于插座能否正常接触,可以通过直接测量芯片引脚上的信号来判断,但对于好多芯片在放入插座之后,根本没有办法测试引脚上的信号。文章引入在BurnIn板子上测量插座接触电阻的方法,介绍了在BurnIn板子上测量接触电阻的必要性和实现方法。通过在BurnIn板子上,增加插座接触电阻的测试功能,对BurnIn程序调试,BurnIn生产过程中出现问题的分析,以及生产的BurnIn板子维护都有很大的帮助。 相似文献