基站隐性故障定位方法探析

0引言 现有移动网络中部分无线基站经过长时间的运行,由于设备老化等原因,以致部分基站出现不同程度的隐性故障,而目前的基站告警系统尚不能有效发现此类故障,往往只能被动等待基站故障的发生;另外,部分基站长期存在网络疑难问题,由于缺乏有效的测试手段,往往难以判断是无线端的问题还是交换端的问题,难以准确快速地定位。     

ITECH负载对电源进行老化测试方案

该文详细介绍了ITECH电子负载和老化软件对于电源产品在长时间通电老化试验中的应用,主要结合本系统中的硬件产品和主要的实现监控界面,实现多个电源产品的老化的同时性和自动化性,可以最大程度地发挥电子负载在老化系统中的作用,可以得到准确的监控数据,可最大程度地节约人力成本。该系统已经应用到实际的老化试验中,并在电源等产品的老化中推广和应用。     

热稳定剂对PVC紫外光老化过程中微观结构及宏观性能演变的影响

通过UV-Vis、FTIR、DSC、以及色差、力学性能的测试表征,实时追踪分析了在紫外光老化过程中,含Pb、Sn以及Ca-Zn热稳定剂的PVC体系微观结构和宏观性能的演变过程.结果表明,在相同光老化条件下,PVC/Pb、PVC/Sn和PVC/Ca-Zn体系的微观结构变化规律基本一致,过程中主要的化学反应是,大分子吸收光能后,发生脱HCl生成共轭双键的反应、生成羰基的氧化反应、交联反应和降解反应;不同热稳定剂的作用,主要表现在对于微观结构变化的幅度和动力学过程的影响不同.相应地,3种体系的外观色差和力学性能的变化规律也相似,但色差的变化程度和速度以及老化后力学性能的保持率因所含热稳定剂的不同而不同,其中含Sn体系的颜色稳定性最好,含Pb体系的力学性能保持率最高。     

对电池老化时欧姆表测量误差的计算和分析

关于电池老化对欧姆表测量的影响,刊文多指串联调零简单表(如2009年高考天津卷试题),其结论是在电池用旧时电阻测值显著偏大(与电池内阻无关).而实际表并非如此简单,本文将作具体分析.1欧姆表电阻测量原理及误差产生机理     

三乙四胺钴配合物氧合结构和老化机理

以固相法合成的三乙四胺钴配合物为研究体系,采用正离子电喷雾串联质谱、紫外-可见吸收光谱、拉曼共振光谱和红外光谱等表征手段,研究了配合物与氧分子的相互作用过程及配合物在吸氧过程中的结构变化。结果表明,三乙四胺钴配合物的吸氧过程是一个动态的变化过程,氧合产物由双氧双桥联的氧合配合物CoⅢL-(O2)2-CoⅢL形式向双羟基桥联的老化配合物CoⅢL-(OH)2-CoⅢL形式转变;18O2同位素标记实验验证了Co-O-O-Co的存在。酸解实验说明OH桥联配合物的形成是造成可逆性差的根本原因。这些结果为探知多胺钴配合物的氧合结构和老化机理提供了新的研究方法和实验依据。     

聚合物光老化、光稳定机理与光稳定剂(上)

大多数聚合物材料,包括塑料、橡胶、纤维、涂料等,在户外使用时会发生光老化而使使用寿命缩短。为有效防止聚合物材料的光劣化,人们已对聚合物的光老化和光稳定机理进行了广泛的研究并先后研发出了几个类型的光稳定剂。但由于户外应用范围不断扩大和环境不断恶化正使聚合物的光老化变得越来越复杂而光防护难度也日益加大,因此国内外有关聚合物光老化、光稳定机理的研究和光稳定剂的研发一直十分活跃。本文上篇主要阐述聚合物的光老化机理。     

1.06μm大功率连续半导体激光器

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5A工作电流下寿命远大于104h。     

高效液相色谱法鉴别黑色签字笔墨水字迹形成时间的研究

签字笔携带方便、书写流畅,现已成为常用的书写工具之一。在许多刑事及民事案件中,尤其在呈明显上升趋势的各类贪污、受贿案件中,经常会遇到由签字笔墨水形成的契约、合同、收据、借条等可疑文件中关于签字笔墨水字迹色痕的鉴定。对于字迹色痕形成时间的鉴定工作一直是困扰法庭     

全膜脉冲电容器电热老化分析

全膜脉冲电容器是脉冲功率系统的重要储能单元,其寿命影响着整个系统的可靠性。在脉冲工况下,全膜脉冲电容器的失效多为突发失效,且寿命的分散性较大。为探究全膜脉冲电容器老化失效机理,开展了其寿命试验及电场与温度场的仿真。利用LTD基本放电单元（Brick）实验腔体对电容器进行寿命测试并获得失效电容器,分析了失效电容在不同故障形式下的失效原因,并利用有限元分析软件对电容器局部“电场易畸变”区域进行了电场仿真,说明上述区域存在的畸变电场是发生绝缘介质击穿的主要原因;对电容器进行温度场分析,发现电容器温度与充放电频率成正相关,温度最高点位于电容器几何中心处附近,在充放电频率较低时,电容器温升不明显,说明在较低充放电频率下,电容器绝缘介质老化以电老化为主,而非热老化。     

LED受ESD冲击前后性能的变化分析

对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。