一种便携式10kV绝缘隔离挡板固定装置的研制

根据《中国南方电网有限责任公司电力安全工作规程》规定：电压等级为10kV时,若作业人员与带电体之间安全距离<0.7m时,应设置隔离措施。由于高处未提供绝缘挡板固定方式,为解决这一问题,文章提出设计一款满足绝缘性能、机械性能的绝缘挡板固定装置,工作人员站在地面上就能将绝缘挡板在高空中固定,满足安全距离不足需设置隔离措施的要求。     

光纤设备机架线缆及后背板连络线通断测试系统简介

介绍微机自动控制扫描测试系统在进行光纤通信设备的机架线缆及子后挂板连络线通断测试时的功能、原理和测试方法。     

电力企业信息系统等级保护工作研究与实践

本文从电力行业等级保护基本要求入手,分析电力企业信息系统实际情况,提出了信息系统安全建设建议.     

网络安全国家标准在电厂工控安全中的应用

围绕某大型电厂工控系统稳定性、可用性、安全性需求,遵循GB/T 22239-2019、GB/T25070-2019、GB/T 37933-2019等网络安全国家标准,建设基于工业控制系统的安全防护架构,实现安全检测、安全审计、安全运维、威胁识别、安全场景分析等安全功能,解决电厂在信息化建设过程中业务系统与运维管理方面面...     

标准数字化等级评价视角的转型模式研究

为解决标准数字化发展过程中的内涵模糊、转型模式不清晰等问题,依据国内外广泛采用的标准数字化等级模型,提出了相应的用例形式,详细阐述了影响标准数字化等级评价、生命周期评价等要素,并分析了标准知识组织、标准生命周期等3个标准数字化转型模式,为标准数字化的实施及应用提供参考。     

IGBT的研究与进展

本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展,阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了IGBT技术面临的技术挑战和发展趋势。     

绝缘衬底上硅表面载流子的超快动力学研究

利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量r具有不同单晶硅薄膜厚度的绝缘衬底上硅(SOI)皮秒瞬态反射率变化,并通过基于受激载流子密度和温度变化过程建立的反射率模型讨论了SOI表面载流子的超快动力学过程.研究表明,表面复合速度(SRV)是影响载流子动力学响应的主要因素,且薄膜厚度越小表面复合速度就越大,对应的表面态密度可达到1013cm-2 .对于较小的SRV,受激载流子的超快响应决定了瞬念反射率变化;而对于较大的SRV,晶格温升对瞬态反射率变化的贞献变得显著,使得反射率在更短的时间内恢复并超过初始值.     

脉冲高功率离子二极管的动力学模拟

基于等离子体的爆炸发射模型,利用自洽的2.5维的胞中粒子（PIC）模拟程序MAGIC模拟了平板型磁绝缘离子二极管中电子和质子的动力学特性。给出了电压为300kV,外加磁场为2倍临界磁场情况下的二极管特性,阴阳极间隙中带电粒子的空间和相空间分布,以及净电荷密度分布和电场分布,结果表明,引出束流密度比单离子Child-Langmuir公式计算的结果大5倍;外加磁场导致在阴极附近形成虚阴极。空间电荷使得阴阳极间隙中电场扰动和增强。     

ARM最新45nm测试芯片可降低40％的功耗

ARM公司近日发布了一款绝缘硅（silicon—on—insulator，SOI）45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体硅工艺（bulk process）进行芯片制造，该测试芯片显示出最高可达40％的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176处理器，能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。