瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

泰科电子看好中国市场

随着接到公共电网的电子功率转换器应用的不断增长,对功率因数校正(PFC)产生了新的需求。为此,泰科电子推出的一款PFC-IPM,提供了最大可达1kW的完整解决方案。这种智能电力模块可降低输入电流上的纹波,功率因数大于0.99。本方案由一个输入起动开关电路来限制输入电流并对连接到输出端的设备有短路保护。开关电路采用升压拓扑结构,配有半可控输入整流器。同时,泰科电子能源部还推出CromptonInstruments高品质发电机控制仪,以及一系列其它产品,包括集成式电源计量系统,集测量、保护、控制于一体的‘一站式’解决方案等。各种先进技术与传…     

采样保持原理在模拟电路中的应用

本文将A/D转换电路中采样保持器的原理加以引伸，应用于模拟电路中，实现模拟电量等差量控制以及低变化率的微分电路实现，前者可应用于需要等量控制的场合，后者应用于需要实时反映某些参数变化率的场合。     

FPGA集成高速I／O，SERDES，结构化的ASIC模块

LatriceSC系列FPGA集成了支持3．4Gb／s数据率的高信道数的SERDES模块、提供2Gb／s速度的PURESPEED并行I／O．PLL和DLL时钟、以500MHz频率工作的FPGA逻辑、密集的RAM块以及针对成本优化的嵌入式结构化ASIC模块的掩膜式阵列。     

电子管耳机放大器

现在一些音响发烧友已经将玩高保真耳机作为时尚,不少发烧友成了耳机族的一员。用耳机聆听音乐,因为音乐经过很短的空气路径就进入耳膜,不会受驻波、反射、干涉等影响,并可排除外来声音干扰,声音定位准确,无需选择要求过高的听音环境,就可以欣赏到纵深的音场及优美的音乐。由于高保真耳机的输出阻抗一般为上百欧姆,需要较大的输出电压推动,常用的CD机和随声听耳机输出部分很难完全推动,不能发挥高保真耳机的真实实力。如果能够制作一台耳机放大器,将耳机的潜力充分发挥出来,将使你真正体验高保真耳机的靓丽音色。本文介绍一款电子管耳机放…     

电子显微学在结构生物学研究中的新进展

电子显微学是结构生物学的重要分支，已经成为一种公认的研究生物大分子、超分子复合体及亚细胞结构的有力手段。本文先回顾了近期电子显微学在技术上的新进展，后概述了生物电子显微学的三个组成部分——电子晶体学，单颗粒技术，电子断层成像术的基本原理，技术方法与研究现状。最后，对电子显微学与其他结构生物学研究手段的结合以及电子显微学的未来发展做了简单的展望。     

中波发射机停播报警器的简单制作

我台有三部1千瓦发射机,分别转播中一及内蒙蒙汉语三套广播节目。值机员在值机过程中不仅经常查看发射机的工作状态,还要轮流监听三套广播节目的声音正常与否,假设每一分钟监听一套节目,三套轮换过来中间停二分钟时间,万一一套节目出故障,至少要停播二分钟时间才发现无信号,等到转换其他通道节目源时,至少要停播两分钟以上,这是用电子转换方式轮流监听三套节目的最低停播时间,人工监听遇到以上问题,     

汽车通用点火电压提升器模块

我们知道,汽车发动机启动时,一个充足电的12V蓄电瓶的电压也会跌落到8.5V以下,如果电池容量不足,其电压还会跌落到6V左右。这时,当白金触点闭合时,点火线圈初级要保持足够的次级点火电压,只有吸收更大的电流来储存能量,但由于初级电感量是一个定量值,在单位时间内又阻止了电流的增加。可见,电压的高低才是决定点火强度的主要因素。如果启动电压过低必然会降低点火强度。点火强度不够,则发动机难以启动,容易导致触点烧蚀。本文介绍的汽车通用点火电压提升器模块可以很好地与白金触点点火系统及车辆通用白金触点电子转换器系列产品配合使用,…     

基于ST40GX1与STi5514的网络交互式数字电视机顶盒硬件设计

交互式机顶盒、数字电视已经从分立器件结构发展到单芯片解决方案。这是数字大规模集成电路制造工艺技术进步的结果，也是最大程度降低系统成本的必然要求。现代单芯片解决方案的机顶盒一般集成有CPU、解复用、音频视频解码、二维图形处理、编码和外设端口等模块。为节省芯片面积，     

高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。