同步辐射X射线和中子粉末衍射及Rietveld精化（1）

把Rietveld精化方法用于处理同步辐射X射线和中子粉末衍射数据，使得粉末试样的结构研究有很大发展。本文在简要介绍两种粉末衍射术和Rietveld方法之后，用实例描述它们在结构精化、解未知结构、沸石、有关微孔材料及磁结构材料测定中的应用。     

热释电系数的测量方法

描述热释电系数的两种测量方法。其一为电荷积分法，测试系统简单，测量数据准确，且能满足零电场条件下的测量。其二为动态电流法，采用调制热源技术，研究在特定温度条件下热释电材料的动态热释电响应。     

非齐次偏微分方程混合问题的形式解

通过待定函数法给出了非齐次偏微分方程混合问题的形式解，从数学角度说明了齐次化原理。     

物理光学方法分析Moire偏折法

本文在物理光学领域里,严格分析了Moire偏折法的测试原理和特性,获得了一些关于Moire偏折法的新的和严格的结论.实验证实了本文的结论.     

PECVD法制备的SiOxNyHz薄膜的直流电导特性研究

本文研究了在低温(430℃)下用PECVD法淀积的SiO_xN_yH_z薄膜的直流电导特性。实验证实这种薄膜即使在x接近1时仍具有极低的电导率(8×10~(-17)Ω~(-1)·cm~(-1))在室温弱场强下其导电机理符合Mott模型。当温度较高时,Poole-Frenkel导电机构将起主导作用。而在常温强电场下,样品导电则从Fowler-Nordheim机构为主。直流电导研究进一步证实了我们关于x接近1的样品中存在SiO_xH_x和SiN_yH_z分离相,而不存在a-Si凝聚相的模型。     

干涉法测量^α—LiIO3晶体的压电系数

在电场频率为1kHz的情况下,用干涉法测量了α-LiIO_3晶体的全部压电系数,其结果为:d_(33)=25.3,d_(31)=-6.3,d_(14)=3.4,d_(15)=44.5×10~(-12)C/N。     

ON DIRECT METHOD OF SOLUTION FOR A CLASS OF SINGULAR INTEGRAL EQUATIONS

In this article, by introducing characteristic singular integral operator and associate singular integral equations (SIEs), the authors discuss the direct method of solution for a class of singular integral equations with certain analytic inputs. They obtain both the conditions of solvability and the solutions in closed form. It is noteworthy that the method is different from the classical one that is due to Lu.