Critical Point Theorems and Applications to Differential Equations

This paper contains a generalization of the well-known Palais-Smale and Cerami compactness conditions. The compactness condition introduced is used to prove some general existence theorems for critical points. Some applications are given to differential equations.     

非饱和土本构关系的混合物理论(Ⅱ)--线性本构方程和场方程

通过对非饱和土非线性本构方程和场方程的线性化，推导出了非饱和土的线性本构方程和场方程，把线性方程表示为与Biot饱和多孔介质方程相似的形式；证明了Darcy定律对非饱和土的适用性；说明了Biot饱和多孔介质方程是这些线性方程的特征。所有这些都表明用混合理论处理非饱和土本构问题的正确性。     

B(X)上保持算子拟仿射性或值域稠性的线性映射

设X和y是无限维的复Banach空间,φ是从B(X)到B(y)保单位的线性满射.本文证明了φ双边保算子的拟仿射性当且仅当φ为同构或反同构;φ双边保算子的值域稠性当且仅当φ是同构.     

一类对称三对角矩阵的合同对角化算法的实现

从一个对称三对角矩阵的合同变换出发 ,阐述了对称三对角矩阵对应的二次型标准化的一种方法 .     

NECESSARY CONDITIONS FOR OPTIMAL CONTROLS OF SEMILINEAR ELLIPTIC VARIATIONAL INEQUALITIES INVOLVING STATE CONSTRAINT

This paper deals with maximum principle for some optimal control problem governed by some elliptic variational inequalities. Some state constraints are discussed. The basic techniques used here are based on those in [1] and a new penalty functional defined in this paper.     

Boundedness of Multilinear Operators on Herz Type Spaces： Extreme Cases

In this paper, two classes of closely related multilinear singular and fractional integrals,which include the commutators as special cases, are studied and their boundedness on Herz type spaces is discussed. In fact, it is proved that these operators are actually not bounded in certain extreme cases.     

自动线性跟踪Butterworth有源滤波器研究

滤波是通信、测试、数据采集和实时控制等领域至关重要的环节。通常的模拟滤波器，由于截止频率固定，在某些宽频率动态范围且有实时性要求的应用场合，往往达不到预期的滤波效果，有时甚至影响整个系统的正常运行。本文从有源滤波器的机理分析入手，提出了一种由单片机参与的滤波系统，它能自动跟踪输入信号频率，线性地选择合适的滤波器截止频率，弥补了原有滤波器的不足。     

超线性宽带多频道MMDS发射系统

本文介绍的超线笥宽带多频道ＭＭＤＳ发射系统的一种具有超价值的ＭＭＤＳ发射系统。该系统采用了最先进的数字非线性预校正技术，在多频道宽带发射时，发射机的输出功率等狗于一般ＭＭＤＳ宽度２００Ｗ、４００Ｗ发射机的输出功率时，功耗仅为其他产品的１／４。该发射系统具有体积小、功耗低的优点，适合于塔上安装。在将发射机安装在塔上时，整个发射系统成本大大降低。本文对这种发射机与其它宽带发射机进行了分析比较，并详细介     

激光二极管端面抽运的1.34μm Nd:YVO4三镜折叠腔型激光器

理论上提出了三镜折叠腔的稳区理论,所得结论对设计激光器具有重要的指导意义;实验上实现了激光二极管端面抽运的1.34μm Nd:YVO4三镜折叠腔型激光器的运转.     

硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究

利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程序模拟计算都表明团簇效应的存在.