1．25 Gbit／s突发模式光发射机设计

本文分析了光突发交换(OBS)和无源光网络(PON)网络中突发模式光发射的关键技术，提出了采用外调制方式实现1．25Gb/s突发模式光发射机的设计方案；其核心部件为分市反馈式（DFB)半导体激光器和电吸收(EA)调制器集成器件。论证了实现突发模式光发射机的调制方式和及其主要技术指标。     

用单平面技术设计5.8GHz的双相调制器／混频器

根据单平面技术将多功能子系统分为基本块和简单电路模型的设计方法，用于设计单平面的双相调制器/混频器，主要用于智能交通收费系统的微波非接触式ID卡中，其工作频率为5.8GHz，采用电磁场计算与传统传输线及计算机辅助设计相结合的方法分析设计了该子系统的主要部件，使其具有尺寸小、集成度高、结构紧凑、性能好、成本低、易于加工等优点。     

与偏振无关1×2．2×2和2×4A由空间光开关在Clos光网络中的应用

首先,对无阻塞的Clos（2,4,2）光网络的拓扑结构和光学实现进行了理论分析;其次,利用偏振光分束器（PBS）、相位型空间光调制器（PSLM）和反射镜设计1×2、2×2和2X4光开关。进而设计无阻塞的Clos（2,4,2）光网络,并讨论了n×m型光开光的设计原则和升级能力。最后,通过实验测试,光开关的串扰最低可以达到...     

基于PZT陶瓷谐振技术的光纤相位调制器研究

分析影响了基于压电陶瓷谐振换能器的光纤相位调节的主要参数,并根据参数研制出一种满足性能要求的压电陶瓷光纤相位调制器.结果表明,光纤伸长位移量与光纤直径、压电常数、工作电压及陶瓷直径有关,与压电陶瓷的厚度无关;压电陶瓷光纤相位调制器的具有工作频率高(100 kHz以上),驱动电压低(2～3 V),电容小,介电损耗小,自滤波谐振等特点.     

新型脉冲氙灯预燃电路

论述了一种为高压脉冲氙灯而设计的预燃电路，电源采取开关电源方式供电，磁饱和方式降压，稳流。因此去掉了传统预燃电路中的工频升压变压器、限流电阻，整个电路的体积、重量明显减小，效率提高。实际运行表明，该电路工作可靠，运行稳定。     

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块

利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.     

应用于DBS移动接收中的5位数字移相器——低成本、Ku波段

提出了一种应用于DBS移动接收中的5位数字移相器的设计方案,并通过实验验证了其实际性能。该移相器采用加载线型和反射型移相原理,首先应用ADS软件进行设计仿真;仿真结果显示该移相器具有频带内高移相精度、低插入损耗和低VSWR等性能,符合设计要求。最后使用Agilent矢量网络分析仪对实物进行测试,进而验证了设计方案的正确性。     

标准数字工艺下16位精度低压低功耗ΣΔ模数调制器设计

针对输入信号频率在20 Hz～24 kHz范围的音频应用,该文采用标准数字工艺设计了一个1.2 V电源电压16位精度的低压低功耗ΣΔ模数调制器。在6 MHz采样频率下,该调制器信噪比为102.2 dB,整个电路功耗为2.46 mW。该调制器采用一种伪两级交互控制的双输入运算放大器构成各级积分器,在低电源电压情况下实现高摆率高增益要求的同时不会产生更多功耗。另外,采用高线性度、全互补MOS耗尽电容作为采样、积分电容使得整个电路可以采用标准数字工艺实现,从而提高电路的工艺兼容性、降低电路成本。与近期报道的低压低功耗ΣΔ模数调制器相比,该设计具有更高的品质因子FOM。     

GaAs/AlGaAs多量子阱FET-SEED灵巧象元

将GaAs／AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管（FET）混合集成,构成FET-SEED灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件（SEED）,光源为骨子阱半导体激光器。测出的光输出Pout／光输入Pin特性表明,光输入信号对光输出信号有明显的调制作用,光输入信号较小的变化可以导致光输出信号较大的变化。     

聚合物波导电光调制器

尽管直接调制激光二级管控制光波是一种简单是一种简单且重要的调制方式，但光波导结构的调制器将使器件性能得到惊人的改善，本文简略介绍了聚合物波导电光调制器，并给出了制备该器件的聚合物材料及制备过程。