LiNbO3电光调制器制作技术

光凋制器是光通信关键器件之一。国内外已对LiNbO3电光凋制器开展了基础理论，结构设计、工艺制作、性能测试等方面的研究和开发。本文介绍了LiNbO3调制器关键制作技术与工艺。     

用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能

在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性.     

一种新型谐振腔增强型光调制器结构的研究

提出了一种新型谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,它由一个对称型谐振腔增强型光调制器和一个高反镜所构成.利用传输矩阵法对该器件的插入损耗及临界吸收厚度进行了模拟分析,并同传统谐振腔增强型光调制器的相关性能进行了比较.分析结果表明,这种结构解决了传统谐振腔增强型光调制器的临界吸收厚度与插入损耗之间相互制约的矛盾,可同时获得低临界吸收厚度和低插入损耗.     

有线电视中数字电视前端设计

随着有线电视中数字电视逐步取代模拟电视，有线电视数字电视前端的设计愈显重要。分析有线电视中数字电视前端的组成和设备功能，以一个频点为例介绍如何进行数字电视前端的设计。     

频率响应法测量光强度调制器啁啾参数

描述一种利用光纤频率响应法测量光强度调制器啁啾参数的方法.通过利用网络分析仪测量光强度调制器(电吸收调制器和马赫-曾德尔型铌酸锂调制器)经过光纤后的频率响应特性,从而间接测量啁啾参数.实验结果与理论相吻合.     

电爆炸箔断路开关的理论和实验研究

电感储能型脉冲功率调制器中的一个关键部件是断路开关。电爆炸金属丝（箔）断路开关是使用最广泛的一种。为了给今后开展更高功率断路开关研究奠定基础，开展了电爆炸箔断路开关的理论和实验研究。     

Liquid Crystal Television Spatial Light Modulator

The liquid crystal televison spatia light modulator(LCTVSLM)characterized is usable in optical processing applications.e.g.,optical pattern recognition,associative memory,optical computing,correlation detection and optical data processing systems.The array performance and real-time optical correlation applications are reviewed.     

波导调制器的光束传播法设计

以光束传播法分析马赫－陈德尔型波导电光强度调制器的波导宽度，Ｙ型分支角、调制电压等参量与器件特性之间的关系，有利于Ｍ－Ｚ波导电光调制器的优化设计。     

基于N通道技术的带通ΣΔA／D转换器

本文基于Ｎ通道技术，提出了一种新型的带通ΣΔＡ／Ｄ转换器，分析了其工作原理，并给出了性能的模拟结果。本文的思想对于带通Ａ／Ｄ转换系统的设计有明显价值。     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.