认识纳米合成磁体

本文介绍了纳米合成磁体的特性、微观结构、发展方向、磁粉来源及磁性能与主要用途。     

高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管(续)

从上述讨论可以看出，世界上许多的研究组直到眼下都在系统地研究高k的电荷捕获和由捕获所产生的特性，特别是在高电应力和高温条件下的测定，并且利用这些捕获的空间和能级分布来进行解释。这大大地加深了对于高k介电体电荷捕获问题的理解，但显然问题并没有完全解决，仍然需要继续工作。     

贵州航天纳米科技有限责任公司

贵州航天纳米科技有限责任公司是一家以研制、生产、经营纳米碳素材料为主业的民营高科技企业。该公司以航天技术为依托云集了一大批长期从事材料、电化学、航天技术等行业的研究技术人员，已成功研制出具有国际先进水平的纳米石墨碳素材料系列产品。     

韩开发出纳米粒子量产技术

韩国汉城大学工业学院应用化学系教授玄泽焕领导的研究小组，在实验中首先加热由铁原子和氯、水分子组成的原料物质，分离出作为纳米粒子核的铁原子。然后，使二次分离出的铁原子附于第一次分离出的铁原子表面，便制成了纳米级粒径的粒子。如果变换原料物质，则可制作出由锰、钴和锌原子组成的纳米粒子。     

负离子全金属团簇Ga4^2-的芳香性的从头算理论研究

运用密度泛函理论的三种方法(B3LYP、B3PW91、PW91PW91)与Mφller-plesset二级微扰方法(MP2)和极化分裂阶基基组6-311 G(3df)，对二阶负离子全金属团簇Ga4^2-与多种一阶负离子团簇MGa4^-(M=Li、Na、Cu)稳定构型与振动频率作了计算，其中二阶负离子全金属团簇Ga4^2-最稳定的构型是正方形结构(D4h)。接着，从团簇结构、非局域π电子数目、分子轨道图形和Ga4^2-同MGa4^-在结构与谐振频率、谐振模式的对比等多方面论述了Ga4^2-正方形结构(D4h)的芳香性特征。     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

温度对云母/水界面纳米气泡形成影响的研究

最近固液界面存在纳米气泡已经引起人们越来越多的关注。虽然经典热力学理论认为室温下水中纳米气泡不能稳定存在 ,但近几年越来越多的研究结果却表明固液界面存在纳米气泡 ,并引起疏水长程作用力。目前直接探测固液界面纳米气泡的最有力手段是原子力显微镜 (AFM)技术 ,尤其是AFM的轻敲模式非常适合于柔软样品的研究 ,因此是目前探测固液界面纳米气泡的最有力手段。本文利用轻敲模式对醇水替换方式产生的纳米气泡进行成像 ,籍以研究液体温度对纳米气泡形成的影响。在研究中发现 ,液体的温度对纳米气泡的形成有显著的影响。当液体温度升高…