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101.
采用高温热解法,分别以氯化铵(NH4Cl)和乙二胺(C2H8N2)为氮源在洁净的硅片上沉积生长CNx纳米管薄膜.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx纳米管进行形貌观察和表征.结果显示不同氮源制备出的CNx纳米管薄膜的洁净度、有序度以及纳米管的结构明显不同.热解乙二胺(C2H8N2)/二茂铁(C10H10Fe)制备出的结晶度较低的"竹节状"结构CNx纳米管平行基底表面有序生长,而且低场致电子发射性能优越,开启电场1.0V/μm,外加电场达到2.89V/μm时发射电流密度为860μA/cm2. 相似文献
102.
研究了水和无水乙醇对萘磺酸掺杂的纳米管结构聚苯胺的电阻率-温度依赖关系的影响(测量温区为80—300K).实验结果表明,水分子和乙醇分子的进入均使样品的电导率升高.利用电荷能量限制隧道模型结合纳米管粉末压片的结构特点,认为样品电阻主要来源于纳米管间接触电阻.水或乙醇分子在纳米管聚苯胺中通过与分子链的相互作用,增加了链间与链上非局域化载流子的数量,增大管间接触界面,降低了载流子的隧穿势垒,进而提高了导电能力.但水和乙醇对样品导电性质影响程度是不同的,主要是因为水分子和乙醇分子在结构和物理化学性质上的不同.
关键词:
聚苯胺
纳米管
电阻率 相似文献
103.
以乙二胺、二茂铁和硼氢化钠为原料,以N2和H2为辅气,用钴作催化剂,在不同温度下制备出了具有竹节状结构的硼碳氮(BCN)纳米管.根据透射电子显微镜观察,分析了BCN纳米管的生长机理.B和N的同时掺杂,所形成的五边形结构比单独N掺杂时具有更低的形成能,是竹节状结构形成的主要原因.用Raman光谱可以用来表征BCN纳米管中B和N的掺杂程度及纳米管的质量.分析表明,在860℃下制备的BCN纳米管竹节状结构最密集,质量最好,产率最高.扫描俄歇微探针分析表明,在860℃下制备的BCN纳米管的元素组成比为B∶N∶C=
关键词:
BCN纳米管
热解
透射电子显微镜
Raman光谱 相似文献
104.
105.
106.
N掺杂TiO_2纳米管阵列的制备与性质研究 总被引:2,自引:2,他引:0
本文采用阳极氧化法制备了孔径为60-80nm,孔壁厚约为20-30nm的高有序度TiO2纳米管。将制备的TiO2纳米管经表面酸化后在浓氨水中浸泡,并于氮气气氛中进行退火处理,以实现TiO2纳米管的N掺杂。利用SEM、XRD、Raman和XPS对样品的形貌与结构进行了研究。结果显示,掺N后不会破坏阳极氧化形成的高有序纳度米管阵列,而且N的引入促进了TiO2纳米管在低温下由锐钛矿相向金红石相的转变。N掺杂样品的XPS中出现了结合能位于399.7 eV的峰,该峰来源于TiO2的间隙氮杂质,显示此方法在TiO2纳米管中实现了有效的N的掺杂。 相似文献
107.
应用第一性原理计算,研究了椭圆形的C70分子在碳纳米管中的可能取向.采用(14,7)单壁纳米管为原型材料,发现纳米管和C70分子的弱化学相互作用是决定分子取向的决定因素.通过模拟扫描隧道显微镜图像和计算光学性质,发现封装的椭圆体C70分子的局域电子结构敏感地依赖于分子取向 相似文献
108.
109.
目前全球纳米技术的发展非常迅速,中国同先进国家一样也在投巨资进行纳米科技的研发。据悉,2007年中国在纳米技术的研发投资额达到了人民币 相似文献
110.
将五硼酸铵、 氨硼烷络合物和氧化镁混合, 球磨均匀后, 在1200 ℃及0.6 L/min流动氨气保护条件下退火6 h, 即可在氧化铝基片上收集到白色毛状产物. 采用X射线衍射(XRD), 红外光谱(FTIR)、 扫描电子显微镜(SEM)、 透射电子显微镜(TEM)、 拉曼光谱(Raman)、 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)对产物进行了表征. 结果表明, 样品呈一维线状分级结构, 长度大于5 mm, 中间为竹节状空心结构, 内部管径为50~350 nm, 外径范围为200~800 nm. 分级结构表面负载了大量氮化硼(BN)纳米薄片, 单个薄片厚度约为13 nm. 薄片弯曲褶皱, 相互交织, 构成1个氮化硼片层, 其厚度约为50~200 nm. UV-Vis和PL光谱测试结果表明, 氮化硼纳米管(BNNT)分级结构在紫外光材料领域具有一定的应用潜力, 且对亚甲基蓝具有良好的吸附能力(7 min即可吸附71%, 107 min时可吸附96%). 对比实验结果表明, BNNT的生长机理遵循气-液-固相(VLS)模型, 而表面负载的超薄BN片的生长机理遵循气-固相(VS)模型. 相似文献